WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016116715) FABRICATION D'UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/116715    N° de la demande internationale :    PCT/FR2016/050126
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 Paris (FR)
Inventeurs : SEMOND, Fabrice; (FR).
MASSIES, Jean; (FR).
FRAYSSINET, Eric; (FR)
Mandataire : REGIMBEAU; 139 rue Vendome 69477 Lyon Cedex 06 (FR)
Données relatives à la priorité :
1550462 21.01.2015 FR
Titre (EN) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR SUPPORT BASED ON GROUP III NITRIDES
(FR) FABRICATION D'UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for producing a support for the production of a semiconductor structure based on group III nitrides, characterised in that the method comprises the steps of: formation (100) of a buffer layer (20) on a substrate (10), said buffer layer comprising an upper surface layer based on group III nitrides; and deposition (200) of a crystalline layer (30) on the buffer layer, said crystalline layer being deposited from silicon atoms so as to cover the entire surface of the upper layer based on group III nitrides. The invention also relates to a support produced by the method, to a semiconductor structure based on the support, and to the method for the production thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un support pour la fabrication d'une structure semi-conductrice à base de nitrures d'éléments III caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes de : -formation (100) d'une couche tampon (20) sur un substrat (10), ladite couche tampon comprenant une couche de surface supérieure à base de nitrures d'éléments III, -dépôt (200) d'une couche cristalline (30) sur la couche tampon, ladite couche cristalline étant déposée à partir d'atomes de siliciumde sorte à recouvrir la totalité de la surface de la couche supérieure à base de nitrures d'éléments III. L'invention concerne également un support obtenu par le procédé et une structure semi-conductrice basée sur le support et son procédé de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)