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1. (WO2016116713) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III PASSIVÉE ET UNE TELLE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/116713    N° de la demande internationale :    PCT/FR2016/050124
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 Paris (FR)
Inventeurs : SEMOND, Fabrice; (FR).
FRAYSSINET, Eric; (FR).
MASSIES, Jean; (FR)
Mandataire : REGIMBEAU; 139 rue Vendôme 69477 Lyon Cedex 06 (FR)
Données relatives à la priorité :
1550461 21.01.2015 FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A PASSIVATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON GROUP III NITRIDES, AND ONE SUCH STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III PASSIVÉE ET UNE TELLE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for producing a semiconductor structure, characterised in that the method comprises a step (201) of depositing a crystalline passivation layer continuously covering the entire surface of a layer based on group III nitrides, said crystalline passivation layer, which is deposited from a precursor containing silicon atoms and a flow of nitrogen atoms, consisting of silicon atoms bound to the surface of the layer based on group III nitrides and arranged in a periodical arrangement such that a diffraction image of said crystalline passivation layer obtained by the grazing-incidence diffraction of electrons in the direction [1 -100] comprises: two non-whole diffraction beams (0, -1/3) and (0, -2/3) between the central beam (0, 0) and the whole beam (0, -1), and two non-whole diffraction beams (0, 1/3) and (0, 2/3) between the central beam (0, 0) and the whole beam (0, 1).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape de dépôt (201 ) d'une couche cristalline de passivation recouvrant continûment la totalité de la surface d'une couche à base de nitrures d'éléments III, ladite couche cristalline de passivation déposée à partir d'un précurseur contenant des atomes de silicium et d'un flux d'atomes d'azote, est constituée d'atomes de silicium liés à la surface de la couche à base de nitrures d'éléments III et agencés selon un arrangement périodique de sorte qu'une image de diffraction de ladite couche cristalline de passivation obtenue par diffraction d'électrons en incidence rasante suivant la direction [1 -100] comporte : - deux raies de diffraction d'ordre non-entier (0, -1/3) et (0, -2/3) entre la raie centrale (0, 0) et la raie d'ordre entier (0, -1), et - deux raies de diffraction d'ordre non-entier (0, 1/3) et (0, 2/3) entre la raie centrale (0, 0) et la raie d'ordre entier (0, 1).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)