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1. (WO2016116180) TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE REVÊTUE PAR ÉPITAXIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE REVÊTUE PAR ÉPITAXIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/116180    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/075189
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 29.10.2015
CIB :
H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Inventeurs : MÜLLER, Timo; (DE).
GEHMLICH, Michael; (DE).
FALLER, Frank; (DE)
Mandataire : STAUDACHER, Wolfgang; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 200 890.8 21.01.2015 DE
Titre (DE) EPITAKTISCH BESCHICHTETE HALBLEITERSCHEIBE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAKISCH BESCHICHTETEN HALBLEITERSCHEIBE
(EN) EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE REVÊTUE PAR ÉPITAXIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE REVÊTUE PAR ÉPITAXIE
Abrégé : front page image
(DE)Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe, umfassend eine Substratscheibe aus einkristallinem Silizium; eine epitaktische Schicht aus Silizium mit polierter Oberfläche auf der Vorderseite der Substratscheibe, wobei die polierte Oberfläche eine RMS-Rauheit von nicht mehr als 0,055 nm bezogen auf ein Messfenster mit einer Fläche von 10 µm x 10 µm aufweist; eine denuded zone mit einer Tiefe von nichtweniger als 6 μm undnicht mehr als 14 μm und eine Region, die an die denuded zone angrenzt und BMD-Keime aufweist, die sich zu BMDs mit einer Spitzendichtevon nicht weniger als 3,5 x 109 cm-3 in einem Abstand von nicht mehr als 70 μm zur polierten Oberfläche der epitaktischen Schicht entwickeln lassen. Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, umfassend das Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf der Vorderseite einer Substratscheibe; das Behandeln der epitaktischen Schicht mit einem Oxidationsmittel; eine RTA-Behandlung der epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, wobei die epitaktische Schicht einer Atmosphäre bestehendaus Argon und Ammoniak ausgesetzt wird und sich eine Oxynitrid-Schicht auf der epitaktischen Schicht bildet; das Entfernen der Oxynitrid-Schicht; und das Polierender epitaktischen Schicht.
(EN)The invention relates to an epitaxially coated semiconductor wafer comprising a substrate wafer made of a monocrystalline silicon; an epitaxial layer made of silicon with a polished surface on the front face of the substrate wafer, said polished surface having a maximum RMS roughness of 0.055 nm with respect to a measurement window with an area of 10 µm x 10 µm; a denuded zone with a minimum depth of 6 μm and a maximum depth of 14 μm, and a region which adjoins the denuded zone and has BMD nuclei which can be grown into BMDs with a minimum peak density of 3.5 x 109 cm-3 at a maximum distance of 70 μm from the polished surface of the epitaxial layer. The invention also relates to a method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer, having the steps of depositing an epitaxial layer made of silicon on the front face of a substrate wafer; treating the epitaxial layer with an oxidation agent; RTA-treating the epitaxially coated semiconductor wafer, wherein the epitaxial layer is exposed to an atmosphere consisting of argon and ammonia, and an oxynitride layer is formed on the epitaxial layer; removing the oxynitride layer; and polishing the epitaxial layer.
(FR)L’invention concerne une tranche semi-conductrice revêtue par épitaxie, comprenant une tranche de substrat faite de silicium monocristallin, une couche épitaxiale faite de silicium présentant une surface polie sur la face avant de la tranche de silicium, la surface polie présentant une rugosité RMS non supérieure à 0,055 nm rapportée à une fenêtre de mesure présentant une surface de 10 µm x 10 µm, une zone dénudée présentant une profondeur non inférieure à 6 μm et non supérieure à 14 μm et une région qui est adjacente à la zone dénudée et qui présente des germes de micro-défauts dans la masse qui peuvent se développer pour obtenir des micro-défauts dans la masse présentant une densité des pointes non supérieure à 3,5 x 109 cm-3 à une distance non supérieure à 70 μm de la surface polie de la couche épitaxiale. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une tranche semi-conductrice revêtue par épitaxie, consistant à déposer une couche épitaxiale en silicium sur la face avant d’une tranche de substrat, à traiter la couche épitaxiale avec un oxydant, à effectuer un traitement de recuit thermique rapide de la tranche semi-conductrice revêtue par épitaxie, la couche épitaxiale étant exposée à une atmosphère constituée d’argon et d’ammoniac et une couche d’oxynitrure se formant sur la couche épitaxiale, à éliminer la couche d’oxynitrure, et à polir la couche d’oxynitrure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)