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1. (WO2016115824) SUBSTRAT DE MATRICE ET TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115824    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/082346
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 25.06.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 2177, TongLingbeiRD, New Railway Station District Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventeurs : SHI, Gaofei; (CN).
LIU, Tianzhen; (CN).
SONG, Jie; (CN).
WANG, Yijun; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd, Ring North Rd. Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510032732.3 22.01.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ET TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(ZH) 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin film transistor, an array substrate and a display apparatus, and a manufacturing method for the thin film transistor and the array substrate. A source electrode (40) and a drain electrode (41) of the thin film transistor are both made of graphene or silver nanowires, and an active layer (30) of the thin film transistor is made of a metal oxide material. An ink-jet printing process is adopted to form the source electrode (40) and the drain electrode (41). Due to the properties of the graphene or silver nanowires, the manufacturing process of the thin film transistor can be simplified, the performance of the thin film transistor can be improved, and the size of a channel area is reduced. In addition, the aperture rate of the array substrate and the display apparatus that have this kind of thin film transistor can be improved.
(FR)L'invention concerne un transistor en couches minces, un substrat de matrice et un afficheur, ainsi qu'un procédé de production du transistor en couches minces et du substrat de matrice. Une électrode source (40) et une électrode déversoir (41) du transistor en couches minces sont toutes les deux composées de nanofils d'argent ou de graphène et une couche active (30) du transistor en couches minces est composée d'un matériau d'oxyde métallique. Un procédé d'impression à jet d'encre est adopté pour former l'électrode source (40) et l'électrode déversoir (41). En raison des propriétés des nanofils d'argent ou de graphène, le processus de production du transistor en couches minces peut être simplifié, les performances du transistor en couches minces peuvent être améliorées et la taille d'une zone de canal est réduite. De plus, la vitesse d'ouverture du substrat de matrice et de l'afficheur dotés de ce type de transistor en couches minces peut être améliorée.
(ZH)提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置、及薄膜晶体管和阵列基板的制作方法。薄膜晶体管的源极(40)和漏极(41)都由石墨稀或者纳米银线制成,薄膜晶体管的有源层(30)由金属氧化物材料制成。采用喷墨打印工艺形成所述源极(40)和漏极(41)。由于石墨稀或者纳米银线的特性,可以简化薄膜晶体管的制作工艺,可以提高薄膜晶体管的性能,降低沟道区域的尺寸。另外,可以提高具有这种薄膜晶体管的阵列基板和显示装置的开口率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)