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1. (WO2016115749) STRUCTURE DE PIXEL ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES AYANT LA STRUCTURE DE PIXEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115749    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/071817
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 29.01.2015
CIB :
G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2,Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : TANG, Yuejun; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO.. LTD; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510029233.9 20.01.2015 CN
Titre (EN) PIXEL STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING THE PIXEL STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE PIXEL ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES AYANT LA STRUCTURE DE PIXEL
(ZH) 像素结构及具有该像素结构的液晶显示器
Abrégé : front page image
(EN)A pixel structure and a liquid crystal display having the pixel structure. The pixel structure (80) is provided on an array substrate (30) and is controlled by one or two thin film transistor devices; the pixel structure (80) comprises several convex structures (83), several protruding electrodes (84/85) and a bottom electrode; the protruding electrodes (84/85) are manufactured on the convex structures (83); the bottom electrode is located below the convex structures (83); a horizontal electric field is generated between the protruding electrodes (84/85) manufactured on the convex structures (83); and a lateral horizontal electric field is generated between the bottom electrode and the protruding electrodes (84/85) manufactured on the convex structures (83). By means of the pixel structure and a liquid crystal display having the pixel structure, the purpose of reducing a component of a vertical electric field and increasing a horizontal electric field can be achieved, so as to improve the penetration rate of FFS and IPS modes or a response speed of a liquid crystal, and a standing trend of a positive liquid crystal is further weakened.
(FR)L’invention concerne une structure de pixel et un dispositif d’affichage à cristaux liquides ayant la structure de pixel. La structure de pixel (80) est disposée sur un substrat matriciel (30) et est commandée par un ou deux dispositifs à transistor en couches minces ; la structure de pixel (80) comprend plusieurs structures convexes (83), plusieurs électrodes en saillie (84/85) et une électrode inférieure ; les électrodes en saillie (84/85) sont fabriquées sur les structures convexes (83) ; l'électrode inférieure est située au-dessous des structures convexes (83) ; un champ électrique horizontal est généré entre les électrodes en saillie (84/85) fabriquées sur les structures convexes (83) ; et un champ électrique horizontal latéral est généré entre l'électrode inférieure et les électrodes en saillie (84/85) fabriquées sur les structures convexes (83). Au moyen de la structure de pixel et d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant la structure de pixel, l'objectif de réduction d'une composante d'un champ électrique vertical et d'augmentation d'un champ électrique horizontal peut être réalisé, de manière à améliorer le taux de pénétration de modes IPS et FFS ou une vitesse de réponse d'un cristal liquide, et une tendance stationnaire de cristaux liquides positifs est en outre affaiblie.
(ZH)一种像素结构及具有该像素结构的液晶显示器,该像素结构(80)设置于一阵列基板(30)上,且由一个或两个薄膜晶体管器件控制,所述像素结构(80)包括若干凸起结构(83)、若干突起状电极(84/85)及一底部电极,所述突起状电极(84/85)制作于所述凸起结构(83)上,所述底部电极位于所述凸起结构(83)下方,制作于所述凸起结构(83)上的突起状电极(84/85)之间产生水平电场,所述底部电极与制作于所述凸起结构(83)上的突起状电极(84/85)之间产生侧向水平电场。该像素结构及具有该像素结构的液晶显示器可以减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的,从而提升FFS和IPS模式的穿透率或者液晶的响应速度,更减弱了正性液晶的站立趋势。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)