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1. (WO2016115602) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE PHOTO-ACTIVE D'UN DISPOSITIF PHOTOACTIF PÉROVSKITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115602    N° de la demande internationale :    PCT/AU2016/050030
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
H01L 51/48 (2006.01)
Déposants : COMMONWEALTH SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH ORGANISATION [AU/AU]; Clunies Ross St, Acton, ACT 2601 (AU)
Inventeurs : VAK, Doojin; (AU).
HEO, Youn-Jung; (AU)
Mandataire : PHILLIPS ORMONDE FITZPATRICK; Level 16 333 Collins Street Melbourne, Victoria 3000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2015900169 21.01.2015 AU
Titre (EN) PROCESS OF FORMING A PHOTOACTIVE LAYER OF A PEROVSKITE PHOTOACTIVE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE PHOTO-ACTIVE D'UN DISPOSITIF PHOTOACTIF PÉROVSKITE
Abrégé : front page image
(EN)A process of forming a photoactive layer of a planar perovskite photoactive device comprising: applying at least one layer of a first precursor solution to a substrate to form a first precursor coating on at least one surface of the substrate, the first precursor solution comprising MX2 and AX dissolved in a first coating solvent, wherein the molar ratio of MX2:AX = 1:n with 0 < n < 1; and applying a second precursor solution to the first precursor coating to convert the first precursor coating to a perovskite layer AMX3, the second precursor solution comprising AX dissolved in a second coating solvent, the first precursor solution reacting with the second precursor solution to form a perovskite layer AMX3 on the substrate, wherein A comprises an ammonium group or other nitrogen containing organic cation, M is selected from Pb, Sn, Ge, Ca, Sr, Cd, Cu, Ni, Mn, Co, Zn, Fe, Mg, Ba, Si, Ti, Bi, or In, X is selected from at least one of F, Cl, Br or I.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une couche photo-active d'un dispositif photo-actif pérovskite plan qui consiste : à appliquer au moins une couche d'une première solution de précurseur sur un substrat pour former un premier revêtement de précurseur sur au moins une surface du substrat, la première solution de précurseur comprenant MX2 et AX dissous dans un premier solvant de revêtement, le rapport molaire MX2 : AX étant égal à 1 : n avec 0 < n < 1; à appliquer une seconde solution de précurseur sur le premier revêtement de précurseur pour convertir le premier revêtement de précurseur en une couche de pérovskite AMX3, la seconde solution de précurseur comprenant AX dissous dans un second solvant de revêtement, la première solution de précurseur réagissant avec la seconde solution de précurseur pour former une couche de pérovskite AMX3 sur le substrat, A comportant un groupe ammonium ou autre cation organique contenant de l'azote, M étant choisi parmi Pb, Sn, Ge, Ca, Sr, Cd, Cu, Ni, Mn, Co, Zn, Fe, Mg, Ba, Si, Ti, Bi et In, X étant au moins un élément choisi parmi F, Cl, Br et I.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)