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1. (WO2016115485) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR RÉGULER L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE GÉNÉRÉE D'UNE DÉSINTÉGRATION DES ISOTOPES ÉMETTEURS DE RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115485    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013642
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 15.01.2016
CIB :
G21H 1/04 (2006.01)
Déposants : IDAHO STATE UNIVERSITY [US/US]; 921 S. 8th Ave. Pocatello, Idaho 83209 (US)
Inventeurs : BURGETT, Eric A.; (US)
Mandataire : SANDROWITZ, Alyssa K.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/104,442 16.01.2015 US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR REGULATING ELECTRICAL POWER GENERATED FROM A DECAY OF RADIATION-EMITTING ISOTOPES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR RÉGULER L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE GÉNÉRÉE D'UNE DÉSINTÉGRATION DES ISOTOPES ÉMETTEURS DE RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods are presented for regulating electrical power generated from a decay of radiation-emitting isotopes. The systems include a diode formed of a semiconductor material capable of mitigating radiation damage by operating at temperatures greater than 300°C. In some embodiments, the semiconductor material includes uranium oxide, UO2∓x, where 0 ≤ x ≤ 0.5. The systems also include a fluid comprising an isotope emitting alpha particles. The systems additionally include a closed circuit having the fluid disposed therein and configured to bring the fluid in contact with the diode. The methods involve flowing a fluid across a surface of a diode and generating electrical power from the diode in response to radiation absorbed therein. The fluid includes an isotope that emits alpha particles. The surface of the diode defines a portion of a closed circuit in which the fluid flows. The methods additionally involve extracting, from the fluid, decay products of the isotope. Other systems and methods are presented.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés pour réguler l'énergie électrique générée à partir d'une désintégration des isotopes émetteurs de rayonnement. Les systèmes comprennent une diode formée d'un matériau semi-conducteur capable d'atténuer des dommages dus au rayonnement en fonctionnant à des températures supérieures à 300 °C. Dans certains modes de réalisation, le matériau semi-conducteur comprend de l'oxyde d'uranium UO2∓x, où 0 ≤ x ≤ 0,5. Les systèmes comprennent également un fluide comprenant un isotope émettant des particules alpha. Les systèmes comprennent en outre un circuit fermé à l'intérieur duquel est disposé le fluide et qui est conçu pour amener le fluide en contact avec la diode. Les procédés consistent à laisser s'écouler un fluide sur une surface d'une diode et à générer de l'énergie électrique à partir de la diode en réponse à un rayonnement absorbée à l'intérieur de celle-ci. Le fluide comprend un isotope qui émet des particules alpha. La surface de la diode définit une partie d'un circuit fermé dans lequel le fluide s'écoule. Les procédés consistent en outre à extraire du fluide, des produits de désintégration de l'isotope. La présente invention concerne également d'autres systèmes et procédés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)