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1. (WO2016115385) OPTIMISATION DE SYSTÈME DE MESURE DE MÉTROLOGIE À RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115385    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013467
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : HENCH, John J.; (US).
SHCHEGROV, Andrei V.; (US).
BAKEMAN, Michael S.; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US)
Données relatives à la priorité :
62/103,428 14.01.2015 US
14/994,817 13.01.2016 US
Titre (EN) MEASUREMENT SYSTEM OPTIMIZATION FOR X-RAY BASED METROLOGY
(FR) OPTIMISATION DE SYSTÈME DE MESURE DE MÉTROLOGIE À RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for optimizing measurement system parameter settings of an x-ray based metrology system are presented. X-ray based metrology systems employing an optimized set of measurement system parameters are used to measure structural, material, and process characteristics associated with different semiconductor fabrication processes with greater precision and accuracy. In one aspect, a set of values of one or more machine parameters that specify a measurement scenario is refined based at least in part on a sensitivity of measurement data to a previous set of values of the one or more machine parameters. The refinement of the values of the machine parameters is performed to maximize precision, maximize accuracy, minimize correlation between parameters of interest, or any combination thereof. Refinement of the machine parameter values that specify a measurement scenario can be used to optimize the measurement recipe to reduce measurement time and increase measurement precision and accuracy.
(FR)L'invention concerne des procédés et des systèmes d'optimisation de réglages de paramètres de système de mesure d'un système de métrologie à rayons X. Des systèmes de métrologie à rayons X faisant appel à un ensemble optimisé de paramètres de système de mesure sont utilisés pour mesurer des caractéristiques structurales, matérielles et de traitement associées à différents traitements de fabrication de semi-conducteurs avec une justesse et une précision plus élevées. Selon un aspect, un ensemble de valeurs d'un ou de plusieurs paramètres de machine qui spécifient un scénario de mesure est affiné sur la base, au moins en partie, d'une sensibilité de données de mesure par rapport à un ensemble précédent de valeurs du ou des paramètres de machine. L'affinement des valeurs des paramètres de machine est exécuté pour augmenter au maximum la justesse, augmenter au maximum la précision, réduire au minimum la corrélation entre des paramètres d'intérêt, ou par rapport à une combinaison quelconque de ces objectifs. On peut utiliser l'affinement des valeurs de paramètres de machine qui spécifient un scénario de mesure pour optimiser la formule de mesure afin de réduire le temps de mesure et d'augmenter la justesse et la précision de mesure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)