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1. (WO2016115363) TRANSDUCTEURS PIÉZOÉLECTRIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115363    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013432
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H01L 41/083 (2006.01), H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/113 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventeurs : SAMMOURA, Firas; (US).
AKHBARI, Sina; (US).
LIN, Liwei; (US)
Mandataire : NG, Rudy; (US)
Données relatives à la priorité :
62/104,556 16.01.2015 US
Titre (EN) PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
(FR) TRANSDUCTEURS PIÉZOÉLECTRIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)Piezoelectric transducers are provided. The piezoelectric transducer includes a first piezoelectric layer, a second piezoelectric layer disposed on at least a portion of the first piezoelectric layer, and a middle electrode layer disposed between the first and second piezoelectric layers, where the middle electrode layer includes an inner region and an outer region spaced apart from the inner region. Methods of making the piezoelectric transducers are also provided. The piezoelectric transducers and methods find use in a variety of applications, including devices, such as electronics devices having one or more (e.g., an array) of the piezoelectric transducers.
(FR)L'invention concerne des transducteurs piézoélectriques. Le transducteur piézo-électrique comprend une première couche piézo-électrique, une deuxième couche piézo-électrique disposée sur au moins une partie de la première couche piézo-électrique, et une couche d'électrode intermédiaire disposée entre les première et deuxième couches piézoélectriques, la couche d'électrode intermédiaire comprenant une région intérieure et une région extérieure espacée de la région interne. L'invention concerne également des procédés de fabrication des transducteurs piézoélectriques. Les transducteurs piézoélectriques et les procédés trouvent une utilisation dans diverses applications, y compris des dispositifs, tels que des dispositifs électroniques, comportant un ou plusieurs (par exemple, une matrice) transducteurs piézoélectriques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)