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1. (WO2016115342) RÉPARATION DE PLOT DE MICRO-TROU D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115342    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013405
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.11.2016    
CIB :
H05K 1/09 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01), H05K 3/22 (2006.01)
Déposants : LOCKHEED MARTIN CORPORATION [US/US]; 6801 Rockledge Drive Bethesda, MD 20817 (US)
Inventeurs : ROVERE, Thomas; (US).
BEDDOW, Jenai; (US).
BLASS, Daniel, Lee; (US).
ZINN, Alfred, A.; (US)
Mandataire : JONES, Eric, T.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/597,949 15.01.2015 US
Titre (EN) MICROVIA PAD REPAIR
(FR) RÉPARATION DE PLOT DE MICRO-TROU D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)A method of repairing a microvia assembly comprising a pad disposed on and in electrical conductive contact with a microvia where at least a portion of the pad is missing from the assembly 10. Conductive material comprising nanocopper is provided on the microvia in at least a portion of a region where the missing portion of the pad was located. A prefabricated replacement pad may be provided on the microvia in a region where a missing pad of the microvia assembly 10 was located, and the replacement pad attached to the microvia by providing a conductive material between the microvia and the replacement pad.
(FR)L'invention concerne un procédé de réparation d'un ensemble micro-trou d'interconnexion comprenant un plot disposé sur un micro-trou d'interconnexion et en contact électrique conducteur avec ce dernier, au moins une partie du plot étant manquante dans l'ensemble 10. Un matériau conducteur comprenant du nano-cuivre est placé sur le micro-trou d'interconnexion au moins dans une partie d'une région où la partie manquante du plot a été située. Un plot de remplacement préfabriqué peut être placé sur le micro-trou d'interconnexion dans une région où un plot manquant de l'ensemble micro-trou d'interconnexion 10 a été situé, et le plot de remplacement peut être fixé au micro-trou d'interconnexion par placement d'un matériau conducteur et le micro-trou d'interconnexion et le plot de remplacement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)