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1. (WO2016115302) DIODE TUNNEL À PUITS QUANTIQUE À ESPACEMENT DISCONTINU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115302    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013337
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Office Of Naval Research (ONR) 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203 (US)
Inventeurs : LUMB, Mathew, P.; (US).
MACK, Shawn; (US).
GONZALEZ, Maria; (US).
SCHMIEER, Kenneth; (US).
WALTERS, Robert, J.; (US)
Mandataire : BROOME, Kerry, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/104,110 16.01.2015 US
Titre (EN) TUNNEL DIODE WITH BROKEN-GAP QUANTUM WELL
(FR) DIODE TUNNEL À PUITS QUANTIQUE À ESPACEMENT DISCONTINU
Abrégé : front page image
(EN)A broken-gap tunnel junction device comprising a thin quantum well (QW) layer situated at the interface between adjacent highly doped n-type and p-type semiconductor layers, wherein the QW layer has a type-Ill broken-gap energy band alignment with respect to one or more of the surrounding semiconductor layers such that a conduction band of the QW layer is below the valence band of one or more of the n-type and p-type bulk semiconductor layers.
(FR)L'invention concerne un dispositif de jonction à effet tunnel à espacement discontinu comprenant une couche mince de puits quantique (QW) située à l'interface entre des couches de semi-conducteur adjacentes de type n et de type p fortement dopées, laquelle couche QW présente un alignement de bande d'énergie à espacement discontinu de type Ill par rapport à une ou plusieurs des couches de semi-conducteur environnantes, de telle sorte qu'une bande de conduction de la couche QW se situe en dessous de la bande de valence d'une ou de plusieurs des couches de semiconducteur non épitaxié de type n et de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)