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1. (WO2016115153) COMPOSITION DE NETTOYAGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEUR APRÈS UN POLISSAGE MÉCANOCHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115153    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013072
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 12.01.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : IVANOV, Roman; (US).
HUNG, Fernando; (US).
KO, Cheng-Yuan; (US).
SUN, Fred; (US)
Mandataire : OMHOLT, Thomas; (US)
Données relatives à la priorité :
62/102,614 13.01.2015 US
Titre (EN) CLEANING COMPOSITION AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFERS AFTER CMP
(FR) COMPOSITION DE NETTOYAGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEUR APRÈS UN POLISSAGE MÉCANOCHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a composition for cleaning contaminants from semiconductor wafers following chemical-mechanical polishing. The cleaning composition contains one or more quaternary ammonium hydroxides, one or more organic amines, one or more metal inhibitors, and water. The invention also provides methods for using the cleaning composition.
(FR)L'invention concerne une composition de nettoyage destinée à éliminer les contaminants de plaquettes de semi-conducteur après un polissage mécanochimique. Cette composition de nettoyage contient un ou plusieurs hydroxydes d'ammonium quaternaire, une ou plusieurs amines organiques, un ou plusieurs inhibiteurs métalliques et de l'eau. L'invention concerne également des procédés d'utilisation de ladite composition de nettoyage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)