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1. (WO2016115114) ARCHITECTURE SUR PUCE DE FAIBLE PUISSANCE ET INTÉGRABLE POUR PLL BASSE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/115114    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013018
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 12.01.2016
CIB :
H03L 7/085 (2006.01), H03L 7/089 (2006.01), H03L 7/093 (2006.01), H03L 7/095 (2006.01)
Déposants : MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, Arizona 85224-6199 (US)
Inventeurs : SAXENA, Himanshu; (IN)
Mandataire : SLAYDEN, Bruce W., II; (US)
Données relatives à la priorité :
14/594,447 12.01.2015 US
Titre (EN) LOW POWER AND INTEGRABLE ON-CHIP ARCHITECTURE FOR LOW FREQUENCY PLL
(FR) ARCHITECTURE SUR PUCE DE FAIBLE PUISSANCE ET INTÉGRABLE POUR PLL BASSE FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit including a phase detector; a first charge pump and a second charge pump coupled to the phase detector, and configured to receive inputs from the phase detector, the first charge pump outputting a low current and the second charge pump outputting a high current; and a dual input loop filter coupled to the first charge pump and the second charge pump.
(FR)L'invention porte sur un circuit intégré comprenant un détecteur de phase ; une première pompe à charge et une seconde pompe à charge couplées au détecteur de phase et configurées pour recevoir des entrées provenant du détecteur de phase, la première pompe à charge délivrant un faible courant et la seconde pompe à charge délivrant un fort courant ; et un filtre de boucle à double entrée couplé à la première pompe à charge et à la seconde pompe à charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)