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1. (WO2016114900) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS, JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114900    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/066828
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 18.12.2015
CIB :
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Mail Sop 525 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83707-0006 (US)
Inventeurs : SIDDIK, Manzar; (US).
KULA, Witold; (US).
RAMARAJAN, Suresh; (SG)
Mandataire : BEZDJIAN, Daniel J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/597,903 15.01.2015 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS, AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS, JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises an array of magnetic cell structures each comprising a magnetic tunnel junction over an electrode on a substrate. Each of the magnetic tunnel junctions includes a magnetic material over the substrate, a first tunnel barrier material over the magnetic material, a second tunnel barrier material over the annealed first tunnel barrier material, and another magnetic material over the second tunnel barrier material. Each magnetic tunnel junction is configured to exhibit a tunnel magnetoresistance greater than or equal to about 180% at a resistance area product of less than about 8 ohm m2. The semiconductor device also includes another electrode over the another magnetic material. Semiconductor devices including the magnetic tunnel junctions, methods of forming the magnetic tunnel junctions, and methods of forming semiconductor devices including the magnetic tunnel junctions are disclosed.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un réseau de structures de cellule magnétique comprenant chacune une jonction à effet tunnel magnétique au-dessus d'une électrode sur un substrat. Chacune des jonctions à effet tunnel magnétiques comprend un matériau magnétique au-dessus du substrat, un premier matériau de barrière tunnel au-dessus du matériau magnétique, un second matériau de barrière tunnel au-dessus du premier matériau de barrière tunnel recuit, et un autre matériau magnétique au-dessus du second matériau de barrière tunnel. Chaque jonction à effet tunnel magnétique est configurée de manière à présenter une magnétorésistance à effet tunnel supérieure ou égale à environ 180 % pour un produit résistance-surface inférieur à environ 8 ohms-m2. Le dispositif à semi-conducteurs comprend également une autre électrode au-dessus de l'autre matériau magnétique. Des dispositifs à semi-conducteurs comprenant les jonctions à effet tunnel magnétiques, des procédés de formation des jonctions à effet tunnel magnétiques et des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs comprenant les jonctions à effet tunnel magnétiques sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)