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1. (WO2016114756) LENTILLE DE COUPLAGE DIÉLECTRIQUE UTILISANT DES RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES AYANT UNE PERMITTIVITÉ ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114756    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011089
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
H01P 5/08 (2006.01), H01Q 13/06 (2006.01), H01Q 15/10 (2006.01), H01Q 19/06 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US)
Inventeurs : KIM, Jaewon; (US).
GUNDEL, Douglas B.; (US).
JESME, Ronald D.; (US).
JOHNSON, Justin M.; (US)
Mandataire : HUANG, X. Christina,; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DIELECTRIC COUPLING LENS USING DIELECTRIC RESONATORS OF HIGH PERMITTIVITY
(FR) LENTILLE DE COUPLAGE DIÉLECTRIQUE UTILISANT DES RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES AYANT UNE PERMITTIVITÉ ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are described for a lens containing high dielectric resonators. In one example, a lens comprises a substrate for propagating an electromagnetic wave and a plurality of resonators dispersed throughout the substrate. Each of the plurality of resonators has a diameter selected based at least in part on a wavelength of the electromagnetic wave and is formed of a dielectric material having a resonance frequency selected based at least in part on a frequency of the electromagnetic wave. Each of the plurality of resonators also has a relative permittivity that is greater than a relative permittivity of the substrate. At least two of the plurality of resonators are spaced within the substrate according to a lattice constant that defines a distance between a center of a first one of the resonators and a center of a neighboring second one of the resonators.
(FR)La présente invention concerne des techniques pour une lentille contenant des résonateurs hautement diélectriques. Dans un exemple, une lentille comprend un substrat pour propager une onde électromagnétique et une pluralité de résonateurs dispersés dans l’ensemble du substrat. Chacun de la pluralité de résonateurs a un diamètre choisi sur la base, au moins en partie, d’une longueur d’onde de l’onde électromagnétique et est formé d’un matériau diélectrique ayant une fréquence de résonance choisie sur la base, au moins en partie, d’une fréquence de l’onde électromagnétique. Chacun de la pluralité de résonateurs a également une permittivité relative qui est supérieure à une permittivité relative du substrat. Au moins deux de la pluralité de résonateurs sont espacés dans le substrat conformément à une constante de réseau qui définit une distance entre un centre d’un premier des résonateurs et un centre d’un deuxième résonateur voisin parmi des résonateurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)