WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016114358) SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114358    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051005
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01), H05K 1/18 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KANEDA, Akio; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-006767 16.01.2015 JP
Titre (EN) SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, AND ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 基板、基板の製造方法及び弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a substrate with which parasitic capacitance can be reduced, despite advanced miniaturization, and a method for manufacturing the same. The substrate 2 comprises a substrate body 2A having a first main surface 2a and a second main surface 2b facing the first main surface 2a. First electrode lands 5a, 5b are situated within a recessed portion 2c of the first main surface 2a of the substrate body 2A. Second electrode lands 6a, 6b are situated in an area 2d outside the recessed portion 2c. The first electrode land 5a and the second electrode land 6a are connected to different potentials.
(FR)La présente invention concerne un substrat permettant de réduire une capacité parasite, malgré une miniaturisation avancée, et son procédé de fabrication. Le substrat (2) comprend un corps (2A) de substrat présentant une première surface principale (2a) et une seconde surface principale (2b) faisant face à la première surface principale (2a). Des premières pastilles d'électrodes (5a, 5b) sont situées à l'intérieur d'une partie évidée (2c) de la première surface principale (2a) du corps (2A) de substrat. Des secondes pastilles d'électrodes (6a, 6b) sont situées dans une zone (2d) à l'extérieur de la partie évidée (2c). La première pastille d'électrode (5a) et la seconde pastille d'électrode (6a) sont reliées à des potentiels différents.
(JA) 小型化を進めた場合であっても、寄生容量を小さくすることができる、基板及びその製造方法を提供する。 基板2は、第1の主面2aと、第1の主面2aと対向する第2の主面2bとを有する基板本体2Aを備える。基板本体2Aの第1の主面2aの凹部2c内に第1の電極ランド5a,5bが設けられている。凹部2c外の領域2dにおいて、第2の電極ランド6a,6bが設けられている。第1の電極ランド5aと、第2の電極ランド6aとは異なる電位に接続される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)