WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016114272) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR SENSIBLE À LA PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114272    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/050747
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 12.01.2016
CIB :
G01L 5/00 (2006.01)
Déposants : NITTA CORPORATION [JP/JP]; 4-26, Sakuragawa 4-chome, Naniwa-ku, Osaka-shi, Osaka 5560022 (JP)
Inventeurs : NAGATA, Kazuya; (JP).
IWATA, Koji; (JP)
Mandataire : YAMADA, Iichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-004407 13.01.2015 JP
2016-003932 12.01.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSITIVE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR SENSIBLE À LA PRESSION
(JA) 感圧センサの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)To enhance the detection sensitivity of a pressure sensitive sensor. A photosensitive resist is laminated on a sheet base that is provided with a metal thin film (S1), and a circuit pattern is arranged thereon (S2). After exposing the photosensitive resist to light using the circuit pattern as a mask (S3), the circuit pattern is removed (S4), and the light-exposed part or light-unexposed part of the photosensitive resist is removed (S5). Subsequently, the exposed region of the metal thin film is removed using the remaining photosensitive resist as a mask (S6), thereby forming an electrode (S7). After that, the remaining photosensitive resist is removed (S7).
(FR)L'invention porte sur l'amélioration de la sensibilité de détection d'un capteur sensible à la pression. Une résine photosensible est stratifiée sur une base en feuille munie d'un film métallique mince (S1), et un tracé de circuit est disposé sur la résine (S2). Après l'exposition de la résine photosensible à la lumière en utilisant le tracé de circuit en tant que masque (S3), le tracé de circuit est retirée (S4), et la partie exposée à la lumière ou partie non exposée à la lumière de la résine photosensible est retirée (S5). Ensuite, la région exposée du film métallique mince est retirée en utilisant la résine photosensible restante en tant que masque (S6), formant ainsi une électrode (S7). Après, la résine photosensible restante est retirée (S7).
(JA) 感圧センサの検出精度を高める。金属薄膜が形成されたシート基材に感光性レジストを積層し(S1)、その上に回路パターンを配置する(S2)。回路パターンをマスクとして感光性レジストを露光した後(S3)、回路パターンを除去し(S4)、感光性レジストの露光部又は未露光部を取り除く(S5)。そして、残存している感光性レジストをマスクとして金属薄膜の露出領域を除去することで(S6)、電極を形成する(S7)。その後、残存している感光性レジストを除去する(S7)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)