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1. WO2016114202 - DISPOSITIF DE DÉTECTION DE PHÉNOMÈNE CHIMIQUE/PHYSIQUE

Numéro de publication WO/2016/114202
Date de publication 21.07.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2016/050276
Date du dépôt international 06.01.2016
CIB
G01N 27/414 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G01N 27/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
G01N 27/414
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
G01N 27/4148
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4148Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
Déposants
  • 国立大学法人豊橋技術科学大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 太齋 文博 DASAI, Fumihiro
  • 澤田 和明 SAWADA, Kazuaki
Mandataires
  • 小西 富雅 KONISHI, Tomimasa
Données relatives à la priorité
2015-00540014.01.2015JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE FOR DETECTING CHEMICAL/PHYSICAL PHENOMENON
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE PHÉNOMÈNE CHIMIQUE/PHYSIQUE
(JA) 化学・物理現象検出装置
Abrégé
(EN)
Provided is a charge-transfer-type sensor suitable for high integration while eliminating a potential barrier. A sensor provided with a semiconductor substrate 10 partitioned into a sensing region 5 in which a potential varies in corresponding fashion to a variation in the external environment, an electric charge supply region 2 for supplying an electric charge to the sensing region 5, an electric charge supply adjustment region 3 interposed between the sensing region 5 and the electric charge supply region 2, and an electric charge accumulation region 7 for accumulating an electric charge transported from the sensing region 5, the sensor for detecting the amount of electric charge accumulated in the electric charge accumulation region 7, wherein a diffusion layer 4 is formed between the electric charge supply adjustment region 3 and the sensing region 5 of the substrate 10, and a dopant for producing an electric charge having the same polarity as the electric charge supplied from the electric charge supply region 2 is diffused in the diffusion layer 4.
(FR)
La présente invention concerne un capteur de type à transfert de charge approprié pour une intégration élevée tout en éliminant une barrière de potentiel. Un capteur est pourvu d'un substrat semi-conducteur (10) divisé en une région de détection (5), dans laquelle un potentiel varie en correspondance avec une variation de l'environnement externe, en une région d'alimentation en charge électrique (2) permettant d'appliquer une charge électrique à la région de détection (5), en une région de réglage d'alimentation en charge électrique (3) qui est intercalée entre la région de détection (5) et la région d'alimentation en charge électrique (2), et une région d'accumulation de charge électrique (7) permettant d'accumuler une charge électrique transportée à partir de la région de détection (5), le capteur permettant de détecter la quantité de charge électrique accumulée dans la région d'accumulation de charge électrique (7), une couche de diffusion (4) étant formée entre la région de réglage d'alimentation en charge électrique (3) et la région de détection (5) du substrat (10), et un dopant permettant de produire une charge électrique ayant la même polarité que la charge électrique fournie à partir de la région d'alimentation en charge électrique (2) étant diffusé dans la couche de diffusion (4).
(JA)
 電位障壁を消去しつつ高集積化に適した電荷転型のセンサを提供する。 【解決手段】外部環境の変化に対応して電位が変化するセンシング領域5と、該センシング領域5へ電荷を供給する電荷供給領域2と、センシング領域5と電荷供給領域2との間に介在する電荷供給調節領域3と、センシング領域5から移送された電荷を蓄積する電荷蓄積領域7と、を区画した半導体基板10を備え、電荷蓄積領域7に蓄積された電荷の量を検出するセンサであって、基板10において電荷供給調節領域3とセンシング領域5との間に拡散層4が形成され、拡散層4には電荷供給領域2から供給される電荷の極性と同じ極性の電荷を生じさせるドーパントが拡散されている。
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