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1. (WO2016114173) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114173    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/050123
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 05.01.2016
CIB :
H01L 41/253 (2013.01), B81C 1/00 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/113 (2006.01), H04R 17/00 (2006.01), H04R 31/00 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : HADA, Takuo; (JP).
YAMAMOTO, Kansho; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-004083 13.01.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a piezoelectric device comprising a substrate (4), and a vibrating part supported directly or indirectly by the substrate (4) and having a membrane shape or beam shape arranged to the upper side of the substrate (4), the vibrating part including a piezoelectric layer (6), wherein the method includes a step for forming the vibrating part, and a step for carrying out localized heat treatment of an area that includes at least a portion of the vibrating part, to adjust the resonance frequency of the vibrating part.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif piézoélectrique qui comprend un substrat (4) et une partie vibrante supportée directement ou indirectement par le substrat (4) et ayant une forme de membrane ou une forme de faisceau agencée sur le côté supérieur du substrat (4), la partie vibrante comprenant une couche piézoélectrique (6), le procédé incluant une étape consistant à former la partie vibrante et une étape consistant à réaliser un traitement thermique localisé d'une zone qui comprend au moins une portion de la partie vibrante, pour ajuster la fréquence de résonance de la partie vibrante.
(JA) 圧電デバイスの製造方法は、基板(4)と、基板(4)によって直接または間接的に支持され、基板(4)より上側に配置されたメンブレン状または梁状である振動部とを備え、前記振動部は圧電体層(6)を含む、圧電デバイスの製造方法であって、前記振動部を形成する工程と、前記振動部の少なくとも一部を含む領域に対して局所的に熱処理を施すことによって前記振動部の共振周波数を調整する工程とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)