WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016114138) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114138    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/000155
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 14.01.2016
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : KAKEFU, Mitsuhiro; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Sohbe; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-005177 14.01.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)To further improve the inverse recovery resistance of a diode element. The present invention is provided with: a drift layer (1) of a first conductivity type; an anode region (3) of a second conductivity type, provided on the drift layer (1); a pull-out region (4) of the second conductivity type, provided in contact with the anode region (3) at a position surrounding the anode region (3); and a field-limiting ring region (6j) of the second conductivity type, provided on the drift layer (1) so as to be set apart from the pull-out region (4) at a position surrounding the pull-out region (4). The pull-out region (4) is configured so as to be deeper than the anode region (3) and the field-limiting ring region (6j).
(FR)L'invention vise à améliorer encore la résistance de recouvrement inverse d'un élément de diode. La présente invention comprend : une couche de migration (1) d'un premier type de conductivité ; une région d'anode (3) d'un second type de conductivité, disposée sur la couche de migration (1) ; une région d'extraction (4) du second type de conductivité, disposée en contact avec la région d'anode (3) au niveau d'une position entourant la région d'anode (3) ; et une région d'anneau de limitation de champ (6j) du second type de conductivité, disposée sur la couche de migration (1) de manière à être écartée de la région d'extraction (4) au niveau d'une position entourant la région d'extraction (4). La région d'extraction (4) est configurée de manière à être plus profonde que la région d'anode (3) et la région d'anneau de limitation de champ (6j).
(JA) ダイオード素子の逆回復耐量の向上を更に図る。第1導電型のドリフト層(1)と、ドリフト層(1)の上部に設けられた第2導電型のアノード領域(3)と、アノード領域(3)を取り囲む位置にアノード領域(3)と接して設けられた第2導電型の引き抜き領域(4)と、ドリフト層(1)の上部において、引き抜き領域(4)を取り囲む位置に引き抜き領域(4)から離間して設けられた第2導電型のフィールドリミッティングリング領域(6)と、を備え、引き抜き領域(4)は、アノード領域(3)及びフィールドリミッティングリング領域(6)よりも深く構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)