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1. (WO2016114061) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114061    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/085209
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 16.12.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C08L 83/04 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : NIPPON SODA CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008165 (JP)
Inventeurs : TAKEYA Junichi; (JP).
KUMAZAWA Kazuhisa; (JP).
IWASA Junji; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-005413 14.01.2015 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an organic thin-film transistor which is provided, as a gate insulating film, with an insulating layer that is formed of an organic-inorganic composite thin film containing (a) a condensation product of an organosilicon compound represented by formula (I) (wherein R represents an organic group that has a carbon atom directly bonded to Si; X represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group; n represents 1 or 2; when n is 2, the R moieties may be the same as or different from each other; and when (4-n) is 2 or more, the X moieties may be the same as or different from each other) and (b) a cured product of an electromagnetic ray-curable compound. RnSix4-n (I)
(FR)L'invention concerne un transistor à couche mince organique qui est fourni similairement à un film d'isolation de grille, avec une couche isolante qui est formée d'une fine couche de composite organique-inorganique contenant (a) un produit de condensation d'un composé d'organosilicium représenté par la formule (I) (dans laquelle R représente un groupe organique qui contient un atome de carbone directement lié à Si; X représente un groupe hydroxyle ou un groupe hydrolysable; n représente 1 ou 2; lorsque n est égal à 2, les fragments de R peuvent être identiques ou différents les uns des autres; et lorsque (4-n) vaut 2 ou plus, les fragments de X peuvent être identiques ou différents les uns des autres) et (b) un produit durci d'un composé durcissable par rayonnement électromagnétique. RnSix4-n (I)
(JA) ゲート絶縁膜として、a)下記式(I)(式中、RはSiに炭素原子が直接結合した有機基を表し、Xは水酸基又は加水分解性基を表す。nは1又は2を表し、nが2のとき各Rは同一でも異なっていてもよく、(4-n)が2以上のとき各Xは同一でも異なっていても良い)で表わされる有機ケイ素化合物の縮合物、及び、b)電磁線硬化性化合物の硬化物、を含有する有機無機複合薄膜からなる絶縁層を備える有機薄膜トランジスタが提供される。RSiX4-n(I)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)