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1. (WO2016114036) FOUR DE CUISSON CONTINUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/114036    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/084254
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 07.12.2015
CIB :
C04B 35/565 (2006.01), F27B 9/04 (2006.01), F27D 17/00 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome, Ogaki-shi, Gifu 5038604 (JP)
Inventeurs : IWAMOTO Masahiro; (JP).
OHASHI Tadafumi; (JP).
HASHIMOTO Yoshinori; (JP)
Mandataire : YASUTOMI & ASSOCIATES; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-006867 16.01.2015 JP
Titre (EN) CONTINUOUS FIRING FURNACE
(FR) FOUR DE CUISSON CONTINUE
(JA) 連続焼成炉
Abrégé : front page image
(EN)The continuous firing furnace of the present invention is used for producing recrystallized SiC by continuously firing a molded article containing SiC particles at 2,000-2,300°C, wherein an exhaust pathway for exhausting gas that contains SiO present in the furnace while maintaining a temperature of 1,500-1,900°C is arranged in the center of the continuous firing furnace.
(FR)La présente invention concerne un four de cuisson continue utilisé pour produire du SiC recristallisé par cuisson continue d'un article moulé contenant des particules de SiC à une température comprise entre 2000 et 2300 °C, l'invention étant caractérisée en ce qu'une voie d'échappement pour évacuer du gaz contenant du SiO présent dans le four tout en maintenant une température comprise entre 1500 et 1900 °C étant disposée dans le centre du four de cuisson continue.
(JA)本発明の連続焼成炉は、SiC粒子を含む成形体を2000~2300℃で連続的に焼成処理することにより再結晶SiCを製造するための連続焼成炉であって、上記連続焼成炉の途中に、炉内に存在するSiOを含むガスを、1500~1900℃の温度を保ちながら排気する排気経路が設置されていることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)