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1. (WO2016113707) DISPOSITIF CONÇU DE MANIÈRE INTRINSÈQUE POUR RÉSONNER, APPROPRIÉ POUR UN TRANSFERT DE PUISSANCE RADIOÉLECTRIQUE ET GROUPE COMPRENANT UN TEL DISPOSITIF ET POUVANT ÊTRE UTILISÉ POUR LA PRODUCTION DE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113707    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/050199
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 15.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.11.2016    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : SELMO, Antonio Franco [IT/IT]; (IT).
PAVARIN, Daniele [IT/IT]; (IT).
TREZZOLANI, Fabio [IT/IT]; (IT).
MANENTE, Marco [IT/IT]; (IT)
Inventeurs : SELMO, Antonio Franco; (IT)
Mandataire : FELTRINELLI, Secondo Andrea; (IT)
Données relatives à la priorité :
VR2015A000007 16.01.2015 IT
Titre (EN) A DEVICE INTRINSICALLY DESIGNED TO RESONATE, SUITABLE FOR RF POWER TRANSFER AS WELL AS GROUP INCLUDING SUCH DEVICE AND USABLE FOR THE PRODUCTION OF PLASMA
(FR) DISPOSITIF CONÇU DE MANIÈRE INTRINSÈQUE POUR RÉSONNER, APPROPRIÉ POUR UN TRANSFERT DE PUISSANCE RADIOÉLECTRIQUE ET GROUPE COMPRENANT UN TEL DISPOSITIF ET POUVANT ÊTRE UTILISÉ POUR LA PRODUCTION DE PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)The present invention regards a device intrinsically designed to resonate (2), suitable for RF power transfer, particularly usable for the production of plasma and electrically connectable downstream of a radio frequency power supply (3) with fixed or variable frequency, comprising at least one inductive element (Lp), which can be powered, during use, by such at least one power supply (3); at least one capacitive element (Cp) electrically connected at the terminals of such at least one inductive element (Lp); such at least one device (2) having a resonance angular frequency equal to: ωο = 1/ √ LpCp The capacitive element (Cp) and the inductive element (Lp) have values such that, at resonance state, they provide an equivalent impedance, measured at the terminals of such device (2), substantially of resistive type and much greater than the value of the parasitic impedance upstream of such terminals of such device (2), such that the effect of such parasitic impedance is, during use, substantially negligible.
(FR)La présente invention concerne un dispositif conçu de manière intrinsèque pour résonner (2), approprié pour un transfert de puissance RF, pouvant être utilisé en particulier pour la production de plasma et pouvant être électriquement connecté en aval d'une alimentation en puissance RF (3) à fréquence fixe ou variable, comprenant au moins un élément inductif (Lp), qui peut être alimenté, pendant l'utilisation, par ladite/lesdites alimentation(s) en puissance RF (3) ; au moins un élément capacitif (Cp) connecté électriquement aux bornes dudit/desdits élément(s) inductif(s) (Lp). Ledit/lesdits dispositif(s)(2) présente une fréquence de résonance angulaire égale à : ωο = 1/√ LpCp. L'élément capacitif (Cp) et l'élément inductif (Lp) présentent des valeurs telles que, à l'état de résonance, ils fournissent une impédance équivalente, mesurée aux bornes dudit dispositif (2), sensiblement de type résistif et beaucoup plus importante que la valeur de l'impédance parasite en amont desdites bornes dudit dispositif (2), de telle sorte que l'effet d'une telle impédance parasite est sensiblement négligeable lors de l'utilisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)