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1. (WO2016113532) RÉDUCTION DE COURBURE DE GALETTE DANS UNE GALETTE COMPOSITE COMPRENANT UNE GALETTE EN SILICIUM ET UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113532    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/054159
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 23.12.2015
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ANVIL SEMICONDUCTORS LIMITED [GB/GB]; Windmill Industrial Estate Birmingham Road Allesley Coventry Warwickshire CV5 9QE (GB)
Inventeurs : WARD, Peter; (GB)
Mandataire : MARKS & CLERK LLP; 62-68 Hills Road Cambridge Cambridgeshire CB2 1LA (GB)
Données relatives à la priorité :
1500558.0 14.01.2015 GB
Titre (EN) WAFER BOW REDUCTION IN COMPOSITE WAFER COMPRISING A SILICON WAFER AND A SILICON CARBIDE EPITAXIAL LAYER
(FR) RÉDUCTION DE COURBURE DE GALETTE DANS UNE GALETTE COMPOSITE COMPRENANT UNE GALETTE EN SILICIUM ET UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)We describe a method for reducing bow in a composite wafer comprising a silicon wafer and a silicon carbide layer grown on the silicon wafer. The method includes applying nitrogen atoms during the growth process of the silicon carbide layer on the silicon wafer so as to generate a compressive stress within the composite wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de réduire la courbure dans une galette composite comprenant une galette en silicium et une couche de carbure de silicium obtenue par croissance sur la galette en silicium. Le procédé comprend l'application d'atomes d'azote pendant le processus de croissance de la couche de carbure de silicium sur la galette en silicium de manière à générer une contrainte de compression à l'intérieur de la galette composite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)