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1. (WO2016113503) POINT MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113503    N° de la demande internationale :    PCT/FR2016/050058
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2016
CIB :
G11C 11/18 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, Rue Michel Ange 75794 Paris Cedex 16 (FR).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25, Rue Leblanc 75015 Paris (FR)
Inventeurs : GAUDIN, Gilles; (FR).
MIRON, Ioan Mihai; (FR).
BOULLE, Olivier; (FR).
CHENATTUKUZ HIYIL, Safeer; (FR).
NOZIERES, Jean-Pierre; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion 38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
1550273 14.01.2015 FR
Titre (EN) MAGNETIC MEMORY SLOT
(FR) POINT MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a memory slot comprising a pad (30) consisting of a stack of regions made of thin layers, comprising a first region (40) made of a nonmagnetic conducting material; a second region (41) made of a magnetic material exhibiting a magnetization in a direction perpendicular to the principal plane of the pad; a third region (42) made of a nonmagnetic conducting material of different characteristics to those of the first region; the pad resting on a conducting track (1) adapted to cause the flow of a programming current of chosen sense, in which the pad has an asymmetric shape with respect to any plane perpendicular to the plane of the layers and parallel to the central axis of the track, and with respect to its barycentre.
(FR)L'invention concerne un point mémoire comprenant un plot (30) constitué d'un empilement de régions en couches minces, comprenant une première région (40) en un matériau conducteur non magnétique; une deuxième région (41) en un matériau magnétique présentant une aimantation dans une direction perpendiculaire au plan principal du plot; une troisième région (42) en un matériau conducteur non magnétique de caractéristiques différentes de celles de la première région; le plot reposant sur une piste conductrice (1) adaptée à faire circuler un courant de programmation de sens choisi, dans lequel le plot a une forme asymétrique par rapport à tout plan perpendiculaire au plan des couches et parallèle à l'axe central de la piste, et par rapport à son barycentre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)