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1. (WO2016113468) ÉLÉMENT LOGIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT LOGIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113468    N° de la demande internationale :    PCT/FI2016/050014
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2016
CIB :
H03K 19/094 (2006.01), H01L 27/085 (2006.01), H03K 19/003 (2006.01), H03K 19/20 (2006.01), H03K 19/0952 (2006.01)
Déposants : HYPERION SEMICONDUCTORS OY [FI/FI]; Otakallio 1 A 7 02150 Espoo (FI)
Inventeurs : AUROLA, Artto, Mikael; (FI)
Mandataire : BERGGREN OY; P.O. Box 16 (Eteläinen Rautatiekatu 10 A) 00101 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
20150011 14.01.2015 FI
20150088 05.02.2015 FI
20150089 17.02.2015 FI
20150145 20.05.2015 FI
20150334 30.11.2015 FI
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR LOGIC ELEMENT AND A LOGIC CIRCUITRY
(FR) ÉLÉMENT LOGIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT LOGIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor logic element comprising a field effect transistor of the first conductivity type and a field effect transistor of the second conductivity type. A gate of the first FET is an input of the semiconductor logic element, a drain of the second FET is referred to as the output of the semiconductor logic element and a source of the second FET is the source of the semiconductor logic element. By applying applicable potentials to the terminals of the field effect transistors it is possible to influence the state of the output of the logic element. The invention relates also to different kinds of logic circuitries comprising the described logic element.
(FR)L'invention concerne un élément logique à semi-conducteur comprenant un transistor à effet de champ (TEC) d'un premier type de conductivité et un transistor à effet de champ d'un second type de conductivité. Une grille du premier TEC est une entrée de l'élément logique à semi-conducteur, un drain du second TEC est dénommé "sortie de l'élément logique à semi-conducteur", et une source du second TEC est la source de l'élément logique à semi-conducteur. Par application de potentiels applicables aux bornes des transistors à effet de champ, il est possible d'agir sur l'état de la sortie de l'élément logique. L'invention concerne également différents types de circuits logiques comprenant l'élément logique décrit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)