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1. (WO2016113032) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/113032    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/078225
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 01.12.2015
CIB :
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : HÖPPEL, Lutz; (DE).
VON MALM, Norwin; (DE)
Mandataire : SCHINKINGER, Stefan; c/o OSRAM GmbH Marcel-Breuer-Strasse 6 80807 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 100 578.6 15.01.2015 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine aktive Schicht (23) auf. Das Bauelement weist eine Durchkontaktierung (24) auf, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt. Die zweite Metallschicht enthält einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42), wobei der erste Teilbereich mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden und einer ersten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet ist. Die erste Metallschicht überbrückt den Zwischenraum in Draufsicht lateral vollständig und ist einer von der ersten elektrischen Polarität verschiedenen zweiten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
(EN)A device comprising a semiconductor body (2), a first metal layer (3) and a second metal layer (4) is provided, wherein the first metal layer is arranged between the semiconductor body and the second metal layer. The semiconductor body has a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an active layer (23). The device has a plated-through-hole (24), which extends through the second semiconductor layer and the active layer for the electrical contacting of the first semiconductor layer. The second metal layer includes a first subregion (41) and a second subregion (42) that is kept at a lateral distance from the first subregion by an intermediate space (40), wherein the first subregion is electrically connected to the plated-through-hole and is assigned a first electrical polarity of the device. The first metal layer completely bridges the intermediate space laterally in plan view and is assigned a second electrical polarity of the device that is different from the first electrical polarity. A method for producing such a device is also provided.
(FR)L’invention concerne un composant comprenant un corps à semi-conducteur (2), une première couche métallique (3) et une deuxième couche métallique (4), la première couche métallique étant agencée entre le corps à semi-conducteur et la deuxième couche métallique. Le corps à semi-conducteur comprend une première couche semi-conductrice (21), une deuxième couche semi-conductrice (22) et une couche active (23). Le composant comprend un trou d’interconnexion (24), qui s’étend à travers la deuxième couche semi-conductrice et la couche active pour la mise en contact électrique de la première couche semi-conductrice. La deuxième couche métallique contient une première partie (41) et une deuxième partie (42) espacée latéralement de la première partie par un espace intermédiaire (40), la première partie étant connectée électriquement au trou d’interconnexion et étant associée à une première polarité électrique du composant. La première couche métallique recouvre entièrement et latéralement l’espace intermédiaire en vue en élévation et est associée à une deuxième polarité électrique de composant différente de la première polarité électrique. L’invention concerne en outre un procédé de production d’un composant de ce type.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)