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1. (WO2016112773) STRUCTURE D'ÉLECTRODES TRIDIMENSIONNELLE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPLICATION ASSOCIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112773    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/098138
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 21.12.2015
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY [CN/CN]; No.28, Xianning WestRoad Xi'an, Shaanxi 710049 (CN)
Inventeurs : WANG, Hongxing; (CN).
LIU, Zhangcheng; (CN).
WANG, Wei; (CN).
LI, Fengnan; (CN).
ZHANG, Jingwen; (CN).
BU, Renan; (CN).
HOU, Xun; (CN)
Mandataire : XI'AN TONG DA PATENT AGENCY CO., LTD.; No.28, Xianning WestRoad Xi'an, Shaanxi 710049 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510023906.X 17.01.2015 CN
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL ELECTRODE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND APPLICATION THEREOF
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODES TRIDIMENSIONNELLE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPLICATION ASSOCIÉE
(ZH) 一种半导体器件的三维电极结构及其制备方法和应用
Abrégé : front page image
(EN)A three-dimensional electrode structure of a semiconductor device, comprising a monocrystalline diamond wafer material. The monocrystalline diamond wafer material is provided with two metal electrode pads (1) respectively used as a positive electrode and a negative electrode. Each metal electrode pad (1) is connected to one or more interdigital electrodes (2) provided at equal intervals; and each interdigital electrode (2) is connected to one or more bar-shaped metal electrodes (3). The one or more bar-shaped metal electrodes (3) are mutually parallel and provided in the monocrystalline diamond wafer material. Also disclosed are a manufacturing method and application of the three-dimensional electrode structure of the semiconductor device. By combining advantages of a flat electrode structure and a vertical electrode structure, a body electrode is introduced into the monocrystalline diamond wafer to collect an electron-hole pair excited by ultraviolet light or a particle beam efficiently and quickly, thus improving a response time and sensitivity of a detector, while avoiding a complex monocrystalline diamond wafer surface, improving a stability of the device, and improving anti-radiation performance of a particle detector.
(FR)La présente invention concerne une structure d'électrodes tridimensionnelle d'un dispositif semi-conducteur, ladite structure contenant un matériau de tranche en diamant monocristallin. Le matériau de tranche en diamant monocristallin est pourvu de deux plots d'électrode métallique (1) faisant respectivement office d'électrode positive et d'électrode négative. Chaque plot d'électrode métallique (1) est raccordé à une ou plusieurs électrodes interdigitées (2) à équidistance les unes des autres. Chaque électrode interdigitée (2) est raccordée à une ou plusieurs électrodes métalliques en forme de barre (3). Lesdites une ou plusieurs électrodes métalliques en forme de barre (3) sont parallèles entre elles et disposées dans le matériau de tranche en diamant monocristallin. La présente invention concerne également un procédé de fabrication et une application de la structure d'électrodes tridimensionnelle du dispositif semi-conducteur. En combinant les avantages d'une structure d'électrodes plates et d'une structure d'électrodes verticales, une électrode de corps est introduite dans la tranche en diamant monocristallin de façon à collecter efficacement et rapidement une paire électron-trou excitée par une lumière ultraviolette ou un faisceau de particules, ce qui améliore le temps de réponse et la sensibilité d'un détecteur tout en évitant une surface de tranche en diamant monocristallin complexe, accroît la stabilité du dispositif et améliore les performances anti-rayonnement d'un détecteur de particules.
(ZH)一种半导体器件的三维电极结构,包括单晶金刚石晶片材料,单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad(1),各个金属电极pad(1)均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极(2),各叉指电极(2)上均连接有一个或多个相互平行、且设置在单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极(3)。还公开了一种半导体器件的三维电极结构的制备方法及其应用,结合平面电极结构和垂直电极结构的优点,在单晶金刚石晶片内引入体电极,实现紫外光或者粒子束激发的电子-空穴对的高效快速收集,提高探测器的响应时间和灵敏度;同时可以避开单晶金刚石晶片表面的复杂性,增加了器件的稳定性;且提高了粒子探测器的抗辐照性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)