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1. (WO2016112766) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112766    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/097563
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 16.12.2015
CIB :
H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.1721-1725,Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventeurs : ZHENG, Jinjian; (CN).
XUN, Feilin; (CN).
LI, Zhiming; (CN).
DENG, Heqing; (CN).
DU, Weihua; (CN).
HSU, Chen-ke; (CN).
WU, Mingyue; (CN).
CHOU, Chilun; (CN).
LIN, Feng; (CN).
LI, Shuiqing; (CN).
KANG, Junyong; (CN)
Données relatives à la priorité :
201510013715.5 12.01.2015 CN
Titre (EN) NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AU NITRURE
(ZH) 氮化物发光二极管
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a nitride light-emitting diode. The nitride light-emitting diode comprises an n-type nitride layer, a light-emitting layer and a p-type nitride layer in sequence. The light-emitting layer is of a multiple-quantum-well structure consisting of barrier layers and well layers. An AlGaN electronic tunneling layer is inserted into at least one well layer close to the n-type nitride layer, and the barrier height of the AlGaN electronic tunneling layer is greater than that of the corresponding barrier layer. The barrier of the AlGaN electronic tunneling layer and the barrier of the well layer are high enough, so that it is difficult for electrons to jump in a thermionic emission manner, and the electrons mainly jump in the InGaN well layers in a tunneling manner, so as to limit the migration rate of the electrons, adjust the distribution of the electrons, and reduces the probability that the electrons overflow to the p-type nitride layer.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente au nitrure. La diode électroluminescente au nitrure comprend une couche de nitrure de type n, une couche électroluminescente et une couche de nitrure de type p dans cet ordre. La couche électroluminescente est d'une structure à puits quantiques multiples constituée de couches formant une barrière et de couches formant un puits. Une couche à effet tunnel électronique AlGaN est insérée dans au moins une couche puits à proximité de la couche de nitrure de type n, et la hauteur de barrière de la couche à effet tunnel électronique AlGaN est supérieure à celle de la couche barrière correspondante. La barrière de la couche à effet tunnel électronique AlGaN et la barrière de la couche puits sont suffisamment hautes, de sorte qu'il soit difficile pour les électrons de sauter d'une manière d'émission thermo-ionique, et les électrons sautent principalement dans les couches puits InGaN d'une manière à effet tunnel, de façon à limiter la vitesse de migration des électrons, à ajuster la répartition des électrons, et à réduire la probabilité pour que les électrons débordent vers la couche de nitrure de type p.
(ZH)公开了一种氮化物发光二极管。氮化物发光二极管依次包括:n型氮化物层、发光层、p型氮化物层,发光层为垒层和阱层构成的多量子阱结构,其中在靠近n型氮化物层的至少一个阱层内插入AlGaN电子隧穿层,其势垒高度大于垒层的势垒高度,AlGaN电子隧穿层与阱层的势垒足够高,使得电子较难以热电子发射方式跃迁,而主要以隧穿的方式在InGaN的阱层中进行跃迁,以限制电子的迁移速率和调节电子的分布,降低电子溢至p型氮化物层的机率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)