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1. (WO2016112611) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112611    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/079162
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 18.05.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Meili; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510020616.X 15.01.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin film transistor (TFT) and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus. The TFT comprises a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, the active layer comprises an oxide having dopant ions, the dopant ions have a p-groove electronic arrangement structure, and p-orbital energy level of the dopant ions is higher than 2p-orbital energy level of oxygen ions in the oxide, such that the top of the doped valence band of the active layer is higher than the energy level of oxygen vacancies formed in the active layer. The active layer of the TFT is made from the oxide having dopant ions, improving the stability of the TFT.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces (TFT) et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un appareil d'affichage. Le TFT comprend une électrode de gâchette, une couche active, une électrode de source et une électrode de drain formées sur un substrat, la couche active comprend un oxyde ayant des ions de dopant, les ions de dopant ont une structure d'arrangement électronique à rainure P, et un niveau d'énergie orbitale P des ions de dopant est supérieur à un niveau d'énergie orbitale 2P d'ions d'oxygène dans l'oxyde, de sorte que le dessus de la bande de valence dopée de la couche active est plus élevé que le niveau d'énergie des lacunes d'oxygène formées dans la couche active. La couche active du TFT est réalisée à partir de l'oxyde ayant des ions de dopant, ce qui améliore la stabilité du TFT.
(ZH)提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极、有源层、源极和漏极,所述有源层包括具有掺杂离子的氧化物,掺杂离子具有p沟道电子排布结构,并且掺杂离子的p轨道能级高于氧化物中氧离子的2p轨道能级,以使得掺杂后有源层的价带顶高于有源层中形成的氧空位的能级。薄膜晶体管的有源层由具有掺杂离子的氧化物制成,可以提高薄膜晶体管的稳定性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)