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1. (WO2016112608) SUBSTRAT DE DÉTECTION ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT, ET DÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112608    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/079012
Date de publication : 21.07.2016 Date de dépôt international : 15.05.2015
CIB :
H01L 31/105 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : ZHAO, Lei; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510014946.8 12.01.2015 CN
Titre (EN) DETECTION SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DETECTOR
(FR) SUBSTRAT DE DÉTECTION ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT, ET DÉTECTEUR
(ZH) 探测基板及其制备方法、探测器
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a detection substrate and a preparation method therefor, and a detector. The detection substrate comprises an underlying substrate, a thin film transistor, a PIN photodiode and a scintillating layer. The thin film transistor and the PIN photodiode are arranged on the first surface of the underlying substrate, and the scintillating layer is arranged on the second surface of the underlying substrate. Visible light obtained after X rays pass through the scintillating layer directly irradiates the PIN photodiode after passing through the underlying substrate having high transmittance, so as to avoid decrease of the intensity of light that irradiates the PIN photodiode, thereby improving the light utilization rate of the detection substrate.
(FR)La présente invention concerne un substrat de détection et un procédé de préparation correspondant, et un détecteur. Le substrat de détection comprend un substrat sous-jacent, un transistor à couches minces, une photodiode PIN et une couche de scintillateur. Le transistor à couches minces et la photodiode PIN sont disposés sur la première surface du substrat sous-jacent, et la couche de scintillateur est disposée sur la seconde surface du substrat sous-jacent. De la lumière visible obtenue après que des rayons X sont passés à travers la couche de scintillateur est directement incidente sur la photodiode PIN après être passée à travers le substrat sous-jacent ayant une transmittance élevée, de manière à éviter une diminution de l'intensité de la lumière qui est incidente sur la photodiode PIN, ce qui permet d'améliorer le taux d'utilisation de lumière du substrat de détection.
(ZH)本发明提供一种探测基板及其制备方法、探测器,所述探测基板包括衬底基板、薄膜晶体管、PIN光电二极管和闪烁层,所述薄膜晶体管和所述PIN光电二极管设置在所述衬底基板的第一面上,所述闪烁层设置在所述衬底基板的第二面上。X射线通过闪烁层之后得到的可见光通过透过率较高的衬底基板后直接照射到所述PIN光电二极管,避免了照射到所述PIN光电二极管的光照强度减弱,从而提高了所述探测基板对光线的利用效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)