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1. (WO2016112296) COUPLAGE HORIZONTAL À DES GUIDES D'ONDES EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112296    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/012657
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 08.01.2016
CIB :
G02B 6/30 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01)
Déposants : ACACIA COMMUNICATIONS, INC. [US/US]; Three Clock Tower Place Suite 100 Maynard, MA 01754 (US)
Inventeurs : CHEN, Long; (US)
Mandataire : FRANKLIN, Thomas, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/101,046 08.01.2015 US
Titre (EN) HORIZONTAL COUPLING TO SILICON WAVEGUIDES
(FR) COUPLAGE HORIZONTAL À DES GUIDES D'ONDES EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Techniques for forming a facet optical coupler that includes a waveguide formed over a trench of a silicon substrate are described. The trench is formed in a silicon substrate and then filled with a dielectric material. The waveguide is patterned on the dielectric material over the trench such that the waveguide is disposed a distance from the first surface. A first end of the waveguide has a first size and a second end of the waveguide distal the first end has a second size different than the first size. A material of the waveguide and the first size define a mode size of the waveguide.
(FR)La présente invention porte sur des techniques destinées à former un coupleur optique à facettes qui comprend un guide d'ondes formé au-dessus d'une tranchée d'un substrat de silicium. La tranchée est formée dans un substrat de silicium et puis remplie avec une matière diélectrique. Le guide d'ondes est modélisé sur la matière diélectrique au-dessus de la tranchée de telle sorte que le guide d'ondes est disposé à une certaine distance depuis la première surface. Une première extrémité du guide d'ondes a une première dimension et une seconde extrémité du guide d'ondes distale de la première extrémité a une seconde dimension différente de la première dimension. Une matière du guide d'ondes et la première dimension définissent une dimension de mode du guide d'ondes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)