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1. (WO2016112192) STRUCTURES INCORPORANT DES LIGNES DE MÉTAL COMPRENANT DU CARBONE ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DE TELLES LIGNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112192    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/012492
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 07.01.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : GOTTI, Andrea; (US).
GEALY, Daniel F.; (US).
TORTORELLI, Innocenzo; (US).
VARESI, Enrico; (US)
Mandataire : KRAFT, Aaron, J.; Holland & Hart LLP P.O. Box 11583 Salt Lake City, Utah 84147 (US)
Données relatives à la priorité :
14/594,038 09.01.2015 US
Titre (EN) STRUCTURES INCORPORATING AND METHODS OF FORMING METAL LINES INCLUDING CARBON
(FR) STRUCTURES INCORPORANT DES LIGNES DE MÉTAL COMPRENANT DU CARBONE ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DE TELLES LIGNES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed technology relates generally to integrated circuits, and more particularly, to structures incorporating and methods of forming metal lines including tungsten and carbon, such as conductive lines for memory arrays. In one aspect, a memory device comprises a lower conductive line extending in a first direction and an upper conductive line extending in a second direction and crossing the lower conductive line, wherein at least one of the upper and lower conductive lines comprises tungsten and carbon. The memory device additionally comprises a memory cell stack interposed at an intersection between the upper and lower conductive lines. The memory cell stack includes a first active element over the lower conductive line and a second active element over the first active element, wherein one of the first and second active elements comprises a storage element and the other of the first and second active elements comprises a selector element. The memory cell stack further includes an electrode interposed between the at least one of the upper and lower conductive lines and the closer of the first and second active elements.
(FR)La présente invention concerne une technologie qui se rapporte, de manière générale, à des circuits intégrés et, plus particulièrement, à des structures incorporant des lignes de métal comprenant du tungstène et du carbone telles que des lignes conductrices pour des matrices mémoires, et à des procédés permettant de former de telles lignes. Selon un aspect de l'invention, un dispositif de mémoire comprend une ligne conductrice inférieure s'étendant dans une première direction et une ligne conductrice supérieure s'étendant dans une seconde direction et croisant la ligne conductrice inférieure, au moins l'une des lignes conductrices supérieure et inférieure comprenant du tungstène et du carbone. Le dispositif de mémoire comprend en outre un empilement de cellules de mémoire intercalé au niveau d'une intersection entre les lignes conductrices supérieure et inférieure. L'empilement de cellules de mémoire comprend un premier élément actif sur la ligne conductrice inférieure et un second élément actif sur le premier élément actif, le premier élément actif ou le second élément actif comprenant un élément de stockage et l'autre élément actif parmi les premier et second éléments actifs comprenant un élément sélecteur. L'empilement de cellules de mémoire comprend en outre une électrode intercalée entre la ligne conductrice supérieure et/ou la ligne conductrice inférieure et l'élément actif le plus proche entre les premier et second éléments actifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)