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1. (WO2016112047) DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS À CONDUCTION BIPOLAIRE À BASE DE GRILLE À CONDUCTION INVERSE PRÉSENTANT UN RISQUE DE GAUCHISSEMENT RÉDUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/112047    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/012237
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 05.01.2016
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; Suite 590 181 Metro Drive San Jose, California 95110 (US)
Inventeurs : ZENG, Jun; (US).
DARWISH, Mohamed; (US)
Mandataire : GROOVER III, Robert O.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/099,710 05.01.2015 US
Titre (EN) REVERSE-CONDUCTING GATED-BASE BIPOLAR-CONDUCTION DEVICES AND METHODS WITH REDUCED RISK OF WARPING
(FR) DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS À CONDUCTION BIPOLAIRE À BASE DE GRILLE À CONDUCTION INVERSE PRÉSENTANT UN RISQUE DE GAUCHISSEMENT RÉDUIT
Abrégé : front page image
(EN)Reverse-conducting IGBTs where the collector side includes diode terminal regions, and the semiconductor material is much thicker through the diode terminal regions than it is through the collector regions. This exploits the area fraction which is taken up by the diode terminal regions to provide increased rigidity for the wafer, and thus avoid warping.
(FR)L'invention concerne des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) à conduction inverse, le côté collecteur comprenant des régions de borne à diode, et le matériau semi-conducteur étant beaucoup plus épais à travers les régions de borne à diode qu'il ne l'est à travers les régions du collecteur. La fraction de surface qui est occupée par les régions de borne à diode est ainsi exploitée pour fournir une rigidité accrue pour la tranche, et éviter ainsi un gauchissement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)