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1. (WO2016111815) FLUX DE TRAITEMENT AVANCÉ POUR FILMS FCVD DE HAUTE QUALITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111815    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/065846
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 15.12.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : NEMANI, Srinivas D.; (US).
CHEN, Erica; (US).
GODET, Ludovic; (US).
XUE, Jun; (US).
YIEH, Ellie Y.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
62/100,888 07.01.2015 US
14/635,589 02.03.2015 US
Titre (EN) ADVANCED PROCESS FLOW FOR HIGH QUALITY FCVD FILMS
(FR) FLUX DE TRAITEMENT AVANCÉ POUR FILMS FCVD DE HAUTE QUALITÉ
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments described herein relate to methods for forming flowable chemical vapor deposition (FCVD) films suitable for high aspect ratio gap fill applications. Various process flows described include ion implantation processes utilized to treat a deposited FCVD film to improve dielectric film density and material composition. Ion implantation processes, curing processes, and annealing processes may be utilized in various sequence combinations to form dielectric films having improved densities at temperatures within the thermal budget of device materials. Improved film quality characteristics include reduced film stress and reduced film shrinkage when compared to conventional FCVD film formation processes.
(FR)Selon des modes de réalisation décrits, l'invention concerne des procédés de formation de films de dépôt chimique en phase vapeur fuidifiable (FCVD) appropriés pour des applications de remplissage des vides à grand rapport de forme. Divers flux de traitement décrits comprennent des processus d'implantation ionique utilisés pour traiter un film FCVD déposé afin d'améliorer la densité et la composition matérielle du film diélectrique. Des processus d'implantation ionique, des processus de durcissement et des processus de recuit peuvent être utilisés dans diverses combinaisons de séquences pour former des films diélectriques ayant des densités améliorées à des températures restant à l'intérieur du budget thermique de matériaux du dispositif. Des caractéristiques de qualité de film améliorées comprennent une contrainte de film réduite et un retrait de film réduit par rapport aux procédés de formation de film FCVD classiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)