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1. (WO2016111798) MATÉRIAUX D'EMPILEMENT DE GRILLE POUR APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES SEMI-CONDUCTEURS POUR AMÉLIORER LA SURIMPRESSION LITHOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111798    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/064684
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.12.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : TSIANG, Michael Wenyoung; (US).
JHA, Praket P.; (US).
HAN, Xinhai; (US).
RAJAGOPALAN, Nagarajan; (US).
KIM, Bok Hoen; (US).
KIYOHARA, Tsutomu; (US).
SREEKALA, Subbalakshmi; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
62/101,817 09.01.2015 US
14/879,043 08.10.2015 US
Titre (EN) GATE STACK MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS FOR LITHOGRAPHIC OVERLAY IMPROVEMENT
(FR) MATÉRIAUX D'EMPILEMENT DE GRILLE POUR APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES SEMI-CONDUCTEURS POUR AMÉLIORER LA SURIMPRESSION LITHOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the disclosure provide methods and system for manufacturing film layers with minimum lithographic overlay errors on a semiconductor substrate. In one embodiment, a method for forming a film layer on a substrate includes supplying a deposition gas mixture including a silicon containing gas and a reacting gas onto a substrate disposed on a substrate support in a processing chamber, forming a plasma in the presence of the depositing gas mixture in the processing chamber, applying current to a plasma profile modulator disposed in the processing chamber while supplying the depositing gas mixture into the processing chamber, and rotating the substrate while depositing a film layer on the substrate.
(FR)Selon des modes de réalisation, l'invention concerne des procédés et un système de fabrication de couches de film avec un minimum d'erreurs de surimpression lithographique sur un substrat semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'une couche de film sur un substrat consiste à amener un mélange gazeux de dépôt comprenant un gaz contenant du silicium et un gaz de réaction sur un substrat disposé sur un support de substrat dans une chambre de traitement, à former un plasma en présence du mélange gazeux de dépôt dans la chambre de traitement, à appliquer un courant à un modulateur de profil de plasma disposé dans la chambre de traitement tout en introduisant le mélange gazeux de dépôt dans la chambre de traitement, et à faire tourner le substrat tout en déposant une couche de film sur le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)