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1. (WO2016111732) COMMUTATEUR À HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111732    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/054887
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.10.2015
CIB :
H03K 17/10 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01)
Déposants : UNITED SILICON CARBIDE, INC. [US/US]; 7 Deer Park Drive, Suite E Monmouth Junction, NJ 08852 (US)
Inventeurs : LI, Xueqing; (US)
Mandataire : ROSEDALE, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/592,542 08.01.2015 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE SWITCH
(FR) COMMUTATEUR À HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A high- voltage switching device is formed by: connecting a number of normally-on transistors, such as JFETs, in series with each other, where the drain of each transistor is connected to the source of the next; connecting the chain of normally-on transistors in series with a normally-off switch component, such as a MOSFET, where the drain of the normally-off switch component is connected to the source of the first transistor in the chain in the chain; and, for each transistor, connecting a voltage-clamping device, such as a diode, with the anode of the voltage-clamping device connected to the source of the transistor and the cathode of the voltage-clamping device connected to the gate of the next transistor in the chain.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de commutation à haute tension formé par : la connexion d'un certain nombre de transistors normalement passants, tels que des JFET, en série les uns avec les autres, le drain de chaque transistor étant connecté à la source du suivant ; la connexion de la chaîne des transistors normalement passants en série avec un composant de commutateur normalement bloqué, tel qu'un MOSFET, le drain du composant du commutateur normalement bloqué étant connecté à la source du premier transistor de la chaîne dans la chaîne ; et, pour chaque transistor, la connexion d'un dispositif d'écrêtage de tension, tel qu'une diode, avec l'anode du dispositif d'écrêtage de tension connecté à la source du transistor et la cathode du dispositif d'écrêtage de tension connecté à la grille du transistor suivant dans la chaîne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)