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1. (WO2016111576) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF COMPRENANT UN FILM DE COMPOSÉ PÉROVSKITE HYBRIDE INORGANIQUE/ORGANIQUE ET DISPOSITIF COMPRENANT UN FILM DE COMPOSÉ PÉROVSKITE HYBRIDE INORGANIQUE/ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111576    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/000176
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 08.01.2016
CIB :
H01L 31/0256 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY [KR/KR]; 141, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 34114 (KR)
Inventeurs : SEOK, Sang Il; (KR).
NOH, Jun Hong; (KR).
SEO, Jang Won; (KR).
JEON, Nam Joong; (KR).
KIM, Young Chan; (KR)
Mandataire : PLUS INTERNATIONAL IP LAW FIRM; 10F, 809, Hanbat-daero Seo-gu Daejeon 35209 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0002536 08.01.2015 KR
10-2016-0002501 08.01.2016 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE COMPRISING INORGANIC/ORGANIC HYBRID PEROVSKITE COMPOUND FILM AND DEVICE COMPRISING INORGANIC/ORGANIC HYBRID PEROVSKITE COMPOUND FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF COMPRENANT UN FILM DE COMPOSÉ PÉROVSKITE HYBRIDE INORGANIQUE/ORGANIQUE ET DISPOSITIF COMPRENANT UN FILM DE COMPOSÉ PÉROVSKITE HYBRIDE INORGANIQUE/ORGANIQUE
(KO) 무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 포함하는 소자의 제조방법 및 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 포함하는 소자
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a device comprising an inorganic/organic hybrid perovskite compound film, according to the present invention, comprises the steps of: a) laminating a first structure and a second structure to allow the first surface layer and the second surface layer to be in contact with each other, the first structure comprising a first surface layer containing at least one material of i) to v) below, the second structure comprising a second surface layer containing, independently from the first surface layer, at least one material of i) to v) below; and b) applying heat and physical force to the laminate in which the first structure and the second structure are laminated: i) an inorganic/organic hybrid perovskite compound, ii) an organic halide, iii) a metal halide, iv) an inorganic/organic perovskite compound precursor, and v) a metal halide precursor.
(FR)Un procédé de production d'un dispositif comprenant un film de composé pérovskite hybride inorganique/organique, conformément à la présente invention, comprend les étapes consistant à : a) stratifier une première structure et une seconde structure afin de permettre à la première couche de surface et à la seconde couche de surface d'être en contact l'une avec l'autre, la première structure comprenant une première couche de surface contenant au moins une surface parmi i) à v) ci-dessous, la seconde structure comprenant une seconde couche de surface contenant, indépendamment de la première couche de surface, au moins une substance parmi i) à v) ci-dessous ; et b) appliquer de la chaleur et une force physique sur le stratifié dans lequel sont stratifiées la première structure et la seconde structure : i) un composé pérovskite hybride inorganique/organique, ii) un halogénure organique, iii) un halogénure métallique, iv) un précurseur de composé pérovskite organique/inorganique, et v) un précurseur d'halogénure métallique.
(KO)본 발명에 따른 무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막이구비되는 소자의 제조방법은 a)하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 계 1표면층을 포함하는 제 1구조체와,제 1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제 2표면층을 포함하는 제 2구조체를,계 1표면층과 제 2표면층이 맞닿도록 적층하는 단계, 및 b) 제 1구조체와 제 2구조체가 적층된 적층체에 열 및 물리적 힘을 인가하는 단계를 포함한다. i)무 /유기하이브리드 페로브스카이트 화합물, ii)유기할로겐화물, iii) 금속할로겐화물, iv)무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질, V) 금속할로겐화물 전구물질.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)