WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016111512) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111512    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/000013
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 04.01.2016
CIB :
H01L 23/60 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677 (KR)
Inventeurs : BEAK, O-hyun; (KR).
KUK, Keon; (KR).
KO, Young-chul; (KR).
KIM, Woon-bae; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 12F Daelim Acrotel 13 Eonju-ro 30-gil Gangnam-gu Seoul 06292 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0003469 09.01.2015 KR
10-2015-0088717 22.06.2015 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package includes a semiconductor chip mounted on a substrate, an insulating layer covering at least a portion of the semiconductor chip and including a thixotropic material or a hot melt material, and a shielding layer covering at least a portion of the semiconductor chip and the insulating layer. A method of manufacturing the semiconductor package includes forming an insulating layer and a shielding layer having a high aspect ratio by using a three-dimensional printer.
(FR)L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur qui comprend une puce de semi-conducteur montée sur un substrat, une couche isolante recouvrant au moins une partie de la puce de semi-conducteur et comprenant un matériau thixotrope ou un matériau thermofusible, et une couche de blindage recouvrant au moins une partie de la puce de semi-conducteur et de la couche isolante. L'invention concerne également un procédé de fabrication du boîtier de semi-conducteur, qui comprend la formation d'une couche isolante et d'une couche de blindage ayant un grand rapport de forme par utilisation d'une imprimante tridimensionnelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)