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1. (WO2016111332) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111332    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/050370
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 07.01.2016
CIB :
H01S 5/022 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01), H01S 5/187 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : TAKIGUCHI Yuu; (JP).
HIROSE Kazuyoshi; (JP).
NOMOTO Yoshiro; (JP).
SUGIYAMA Takahiro; (JP).
KUROSAKA Yoshitaka; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-003557 09.01.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor laser device is provided with: a plurality of semiconductor laser units LDC that can be independently driven; and a spatial light modulator SLM optically coupled to a group of the semiconductor laser units LDC. Each of the semiconductor laser units is provided with a pair of cladding layers sandwiching an active layer 4, and a diffractive grating layer 6 optically coupled to the active layer 4. The semiconductor laser device is also provided with: a 1/4 wavelength plate 26 disposed between a reflection film 23 and a group of the active layers 4 of the semiconductor laser units LDC; and a polarizing plate 27 disposed between a light outputting surface and the group of the active layers 4 of the semiconductor laser units LDC.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif laser à semi-conducteur qui est pourvu : d'une pluralité d'unités laser à semi-conducteur LDC qui peuvent être attaquées indépendamment l'une de l'autre ; et d'un modulateur spatial de lumière SLM couplé optiquement à un groupe des unités laser à semi-conducteur LDC. Chacune des unités laser à semi-conducteur est pourvue d'une paire de couches de revêtement prenant en sandwich une couche active 4, et d'une couche de réseau de diffraction 6 couplée optiquement à la couche active 4. Le dispositif laser à semi-conducteur est également pourvu : d'une plaque quart d'onde 26 disposée entre un film réfléchissant 23 et un groupe des couches actives 4 des unités laser à semi-conducteur LDC ; et d'une plaque polarisante 27 disposée entre une surface d'émission de lumière et le groupe des couches actives 4 des unités laser à semi-conducteur LDC.
(JA) この半導体レーザ装置は、独立駆動可能な複数の半導体レーザ部LDCと、複数の半導体レーザ部LDCのグループに光学的に結合した空間光変調器SLMとを備えた半導体レーザ装置である。個々の半導体レーザ部は、活性層4を挟む一対のクラッド層と、活性層4に光学的に結合した回折格子層6とを備えている。複数の半導体レーザ部LDCの活性層4のグループと反射膜23との間に配置された1/4波長板26と、複数の半導体レーザ部LDCの活性層4のグループと光出射面との間に配置された偏光板27とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)