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1. (WO2016111251) DISPOSITIF EWOD À MATRICE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ D'ATTAQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111251    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/000063
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 07.01.2016
CIB :
B01J 19/00 (2006.01), G01N 35/08 (2006.01)
Déposants : SHARP MICROFLUIDIC SOLUTIONS LIMITED [GB/GB]; Edmund Halley Road, Oxford Science Park Oxford OX4 4GB (GB)
Inventeurs : HADWEN, Benjamin James; (--)
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
1500262.9 08.01.2015 GB
Titre (EN) ACTIVE MATRIX EWOD DEVICE AND METHOD OF DRIVING THEREOF
(FR) DISPOSITIF EWOD À MATRICE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ D'ATTAQUE
Abrégé : front page image
(EN)An AM-EWOD device comprises: first and second substrates (72,36); first and second array element electrodes (38A, 38B) disposed on the first substrate (72) and defining first and second array elements in the AM-EWOD device; a reference electrode (28) disposed on the first substrate (72); a sensor; and a reference electrode drive circuit (50). The reference electrode drive circuit (50) is configured to drive the reference electrode with a first voltage waveform for actuating an array element or with a second voltage waveform different from the first voltage waveform when performing a sensing operation.
(FR)La présente invention concerne un dispositif AM-EWOD qui comprend : des premier et second substrats (72, 36); des première et seconde électrodes (38A, 38B) d'élément de matrice disposées sur le premier substrat (72) et définissant des premier et second éléments de matrice dans le dispositif AM-EWOD; une électrode de référence (28) disposée sur le premier substrat (72); un capteur; et un circuit d'attaque (50) d'électrode de référence. Le circuit d'attaque (50) d'électrode de référence est conçu de manière à attaquer l'électrode de référence avec une première forme d'onde de tension pour l'actionnement d'un élément de matrice ou avec une seconde forme d'onde de tension différente de la première forme d'onde de tension lors de l'exécution d'une opération de détection.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)