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1. (WO2016111237) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE SUBSTANCE CIBLE À L'AIDE D'UN BIOCAPTEUR À BASE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP (FET)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111237    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/000008
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 04.01.2016
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
Inventeurs : SHIRASAKI, Tomoyuki; (JP).
OGURA, Jun; (JP)
Mandataire : TANI & ABE, P.C.; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-000523 05.01.2015 JP
Titre (EN) TARGET SUBSTANCE DETECTION METHOD USING FET BIOSENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE SUBSTANCE CIBLE À L'AIDE D'UN BIOCAPTEUR À BASE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP (FET)
(JA) FETバイオセンサを用いてターゲット物質を検出する方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a detection method using an FET biosensor in order to obtain electrical signal information at lower current, with higher sensitivity, and at a lower cost. The present invention is a target substance detection method using an FET biosensor. The method comprises: a step for setting, for a reference electrode, a source electrode, and a drain electrode, respective potentials that do not generate current between the source electrode and the drain electrode; a step for setting, for the source electrode and the drain electrode, respective potentials that generate current between the source electrode and the drain electrode; a step for setting a terminal of the source electrode to a high impedance; a step for measuring the source potential at a predetermined detection timing, in a source potential relaxing process; a step for calculating a detection voltage from the difference between the source potential measured in a reaction state and the source potential measured in a non-reaction state; and a step for using the detection voltage as a detection signal, for detection of a target substance.
(FR)La présente invention concerne un procédé de détection qui utilise un biocapteur à base de transistors à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) de sorte à obtenir des informations de signal électrique à un courant inférieur, avec une sensibilité plus élevée et à moindre coût. La présente invention porte sur un procédé de détection de substance cible à l'aide d'un biocapteur à base de transistors FET. Le procédé comprend : une étape consistant à définir, pour une électrode de référence, une électrode source et une électrode déversoir, des potentiels respectifs qui ne produisent pas de courant entre l'électrode source et l'électrode déversoir ; une étape consistant à définir, pour l'électrode source et l'électrode déversoir, des potentiels respectifs qui produisent un courant entre l'électrode source et l'électrode déversoir ; une étape consistant à régler une borne de l'électrode source à une impédance élevée ; une étape consistant à mesurer le potentiel de source à un moment de détection prédéterminé, au cours d'un processus de baisse de potentiel de source ; une étape consistant à calculer une tension de détection à partir de la différence entre le potentiel de source mesuré dans un état réactionnel et la source de potentiel mesurée dans un état non réactionnel ; et une étape consistant à utiliser la tension de détection en tant que signal de détection, pour la détection d'une substance cible.
(JA) 本発明は、より低電流、高感度、低コストで電気信号情報を得るためのFETバイオセンサを利用した検出方法を提供する。本発明は、FETバイオセンサを用いてターゲット物質を検出する方法であって、参照電極、ソース電極及びドレイン電極の各々について、ソース電極及びドレイン電極間に電流が生じない電位を設定するステップと、ソース電極とドレイン電極には、ソース電極及びドレイン電極間に電流が生じる電位を設定するステップと、ソース電極の端子をハイインピーダンスに設定するステップと、ソース電位の緩和過程において所定の検出タイミングでソース電位を測定するステップと、反応状態で測定されたソース電位と非反応状態で測定されたソース電位との差から検出電圧を算出するステップと、検出電圧を検出信号としてターゲット物質の検出に使用するステップとを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)