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1. (WO2016111152) SUBSTRAT DE SOUTIEN EN VERRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111152    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/085638
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 21.12.2015
CIB :
C03B 29/06 (2006.01), C03B 17/06 (2006.01), C03C 19/00 (2006.01)
Déposants : NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi Shiga 5208639 (JP)
Inventeurs : KATAYAMA Hiroki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-000277 05.01.2015 JP
Titre (EN) SUPPORTING GLASS SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE SOUTIEN EN VERRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 支持ガラス基板及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To contribute to the densification of semiconductor packages by providing: a supporting glass substrate suitable for supporting a processed substrate used in high-density wiring; and a manufacturing method for said substrate. [Solution] A supporting glass substrate of the present invention is characterized in that when said substrate is raised from room temperature to 400°C at a rate of 5°C/minute, kept at 400°C for 5 hours, and returned to room temperature at a rate of 5°C/minute, the thermal shrinkage is 20 ppm or less.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de contribuer à la densification des boîtiers de semi-conducteur en prévoyant : un substrat de support en verre approprié pour le support d'un substrat traité utilisé dans le câblage de haute densité ; et un procédé de fabrication dudit substrat. La solution selon l'invention est un substrat de support en verre caractérisé en ce que lorsque ledit substrat est élevé de la température ambiante à 400°C à une vitesse de 5°C/minute, maintenu à 400°C durant 5 heures, et ramené à la température ambiante à une vitesse de 5°C/minute, le rétrécissement thermique est de 20 ppm ou moins.
(JA)【課題】本発明の技術的課題は、高密度配線に供される加工基板の支持に好適な支持ガラス基板及びその製造方法を創案することにより、半導体パッケージの高密度化に寄与することである。本発明の支持ガラス基板は、室温から5℃/分の速度で400℃まで昇温し、400℃で5時間保持した後、5℃/分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が20ppm以下になることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)