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1. (WO2016111142) FLUX SANS LAVAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111142    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/085518
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 18.12.2015
CIB :
B23K 35/363 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), B23K 31/02 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01), B23K 101/40 (2006.01)
Déposants : NAMICS CORPORATION [JP/JP]; 3993, Nigorikawa, Kita-ku, Niigata-shi, Niigata 9503131 (JP)
Inventeurs : NISHISAKO Yuki; (JP).
SHIRAI Yukio; (JP).
SUZUKI Osamu; (JP)
Mandataire : WATARAI Yusuke; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-001498 07.01.2015 JP
Titre (EN) WASHLESS FLUX, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) FLUX SANS LAVAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 無洗浄フラックス、および半導体パッケージの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The invention of the present application provides a washless flux comprising (A) a solvent having such a property that the temperature at which the mass thereof is reduced to 50% of the original value is 160 to 210ºC as measured by a thermogravimetric analysis and (B) a di- or tri-carboxylic acid having such a property that the temperature at which the mass thereof is reduced to 50% of the original value is 190 to 320°C as measured by a thermogravimetric analysis, wherein the component (B) is contained in an amount of 0.3 to 3.0 parts by mass relative to 100 parts by mass of the washless flux. The washless flux can be used in a semiconductor packaging process comprising: applying the washless flux between a solder bump, which is formed on a semiconductor chip, and a wiring line, which is formed on a substrate and is coated with a solder, at room temperature; soldering the solder bump with the wiring line; cooling the soldered product to 100 to 120°C; filling an underfill material between the semiconductor chip and the substrate while keeping at the same temperature; and curing the underfill material.
(FR)La présente invention concerne un flux sans lavage qui comporte (A) un solvant ayant une propriété telle que la température à laquelle la masse de celui-ci est réduite à 50 % de sa valeur initiale est de 160 à 210 °C, telle que mesurée par une analyse thermogravimétrique, et (B) un acide di- ou tri-carboxylique ayant une propriété telle que la température à laquelle la masse de celui-ci est réduite à 50 % de sa valeur initiale est de 190 à 320 °C, telle que mesurée par une analyse thermogravimétrique, la teneur en composant (B) étant de 0,3 à 3,0 parties en masse par rapport à 100 parties en masse du flux sans lavage. Le flux sans lavage peut être utilisé dans un procédé de conditionnement de semi-conducteur consistant : à appliquer le flux sans lavage entre une perle de soudure, qui est formée sur une puce à semi-conducteur, et une ligne de câblage, qui est formée sur un substrat et qui est revêtue d'une brasure, à température ambiante ; à souder la perle de soudure à la ligne de câblage ; à refroidir le produit brasé de 100 à 120 °C ; à remplir, avec un matériau de remplissage, l'espace entre la puce à semi-conducteur et le substrat tout en maintenant la même température ; à durcir le matériau de remplissage.
(JA)本願発明は、(A)熱重量分析で、質量が50%に減少する温度が160-210℃である溶剤、および(B)質量が50%に減少する温度が190-320℃であるジカルボン酸またはトリカルボン酸を含有し、(B)成分を無洗浄フラックス100質量部に対して、0.3-3.0質量部含有することにより、半導体チップに形成されたはんだバンプと、基板に形成されたはんだめっきされた配線との間に、無洗浄フラックスを室温で塗布し、はんだバンプと配線とをはんだ付けした後、100-120℃まで冷却し、同温に保持したまま、半導体チップと基板との間にアンダーフィル材を充填後、アンダーフィル材を硬化させるはんだ応対パッケージ工程で使用可能な無洗浄フラックスを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)