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1. (WO2016111110) CONDUCTEUR PAR IONS OXYDE DE TYPE APATITE ORIENTÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111110    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/084515
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.12.2015
CIB :
H01M 8/02 (2016.01), C04B 35/50 (2006.01), H01B 1/06 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01M 8/12 (2016.01)
Déposants : MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD. [JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP)
Inventeurs : IDE, Shingo; (JP).
ANNO, Yuichi; (JP).
IZUTSU, Yasuhisa; (JP).
OMURA, Jun; (JP).
ISHII, Rintaro; (JP).
KAHATA, Minoru; (JP)
Mandataire : TAKEUCHI, ICHIZAWA & ASSOCIATES; 6F., Akasaka 2-chome Annex, 19-8, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-001743 07.01.2015 JP
Titre (EN) ORIENTED APATITE-TYPE OXIDE ION CONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CONDUCTEUR PAR IONS OXYDE DE TYPE APATITE ORIENTÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In order to provide a new oriented apatite-type oxide ion conductor capable of suppressing the generation of cracks and achieving a large surface area and preferably, capable of being manufactured at low cost through an uncomplicated process, there is proposed an oriented apatite-type oxide ion conductor comprising a composite oxide which is characterized by being represented by A9.33+x[T6-yMy]O26.00+z (A in the formula is at least one element selected from the group consisting of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Be, Mg, Ca, Sr and Ba. T in the formula is Si or Ge or an element including both. M in the formula is at least one element selected from the group consisting of B, Ge, Zn, Sn, W and Mo), where x is -1 to 1, y is 1 to 3, z is -2 to 2, and the ratio of the number of moles of A to the number of moles of M, i.e., A/M, is 3 to 10.
(FR)Afin d'obtenir un nouveau conducteur par ions oxyde de type apatite orienté qui peut supprimer la génération de fissures et obtenir une grande surface et de préférence, peut être fabriqué à faible coût au moyen d'un processus simple, la présente invention propose un conducteur par ions oxyde de type apatite orienté comprenant un oxyde composite qui est caractérisé en ce qu'il est représenté par A9,33 + x[T6 - yMy]O26,00 + z (A dans la formule est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par le lanthane (La), le cérium (Ce), le praséodyme (Pr), le néodyme (Nd), le samarium (Sm), l'europium (Eu), le gadolinium (Gd), le terbium (Tb), le dysprosium (Dy), le béryllium (Be), le magnésium (Mg), le calcium (Ca), le strontium (Sr) et le baryum (Ba). T dans la formule est le silicium (Si) ou le germanium (Ge) ou un élément comportant les deux. M dans la formule est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par le bore (B), le germanium (Ge), le zinc (Zn), l'étain (Sn), le tungstène (W) et le molybdène (Mo), où x est compris entre -1 et 1, y est compris entre 1 et 3, z est compris entre -2 et 2, et le rapport entre le nombre de moles de A et le nombre de moles de M, c'est-à-dire, A/M, est compris entre 3 et 10.
(JA) クラックの発生を抑制して大面積化を図ることができ、好ましくは複雑でないプロセスでより安価に製造することができる、新たな配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体を提供せんとするべく、A9.33+x[T6-yy]O26.00+z(式中のAは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群から選ばれた一種又は二種以上の元素である。式中のTは、Si又はGe又はその両方を含む元素である。式中のMは、B、Ge、Zn、Sn、W及びMoからなる群から選ばれた一種又は二種以上の元素である。)で示され、式中のxは-1~1であり、式中のyは1~3であり、式中のzは-2~2であり、Mのモル数に対するAのモル数の比率(A/M)が3~10であることを特徴とする複合酸化物からなる配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体を提案する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)