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1. (WO2016111093) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111093    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/082893
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 24.11.2015
CIB :
G01T 1/20 (2006.01), G21K 4/00 (2006.01)
Déposants : TOSHIBA ELECTRON TUBES & DEVICES CO., LTD. [JP/JP]; 1385, Shimoishigami, Otawara-shi, Tochigi 3248550 (JP)
Inventeurs : HOMMA Katsuhisa; (JP).
TAKATORI Koji; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-003405 09.01.2015 JP
Titre (EN) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A radiation detector according to an embodiment of the present invention comprises: an array substrate that includes a substrate and a plurality of photoelectric conversion elements that are provided on one surface of the substrate; a scintillator layer that is provided on the plurality of photoelectric conversion elements and includes a first phosphor material; a wall that is provided on the one surface of the substrate and surrounds the scintillator layer; and a filler part that is provided between the scintillator layer and the wall and includes a second phosphor material. The scintillator layer has, in a peripheral part thereof, a sloping portion the thickness of which gradually decreases toward the outside of the scintillator layer. The filler part is provided on the sloping portion.
(FR)Un détecteur de rayonnement selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat de réseau qui comprend un substrat et une pluralité d'éléments de conversion photoélectrique qui sont situés sur une surface du substrat ; une couche de scintillateur qui est située sur la pluralité d'éléments de conversion photoélectrique, et qui comprend une première matière de luminophore ; une paroi qui est située sur la surface du substrat et qui entoure la couche de scintillateur ; et une partie de charge qui est située entre la couche de scintillateur et la paroi, et qui comprend une seconde matière de luminophore. La couche de scintillateur comporte, dans une partie périphérique de cette dernière, une partie en pente dont l'épaisseur diminue progressivement vers l'extérieur de la couche de scintillateur. La partie de charge est disposée sur la partie en pente.
(JA) 実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、第1の蛍光体材料を含むシンチレータ層と、前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む壁体と、前記シンチレータ層と、前記壁体と、の間に設けられ、第2の蛍光体材料を含む充填部と、を備えている。 前記シンチレータ層は、周縁部分に前記シンチレータ層の外側になるに従い厚み寸法が漸減する傾斜部を有している。 前記充填部は、前記傾斜部の上に設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)