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1. (WO2016111059) ÉLÉMENT D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111059    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/077655
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 30.09.2015
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : SATO, Tomohiko; (JP).
MINAMI, Hiroki; (JP).
KASHIURA, Hideaki; (JP).
KONTA, Satoshi; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-002726 09.01.2015 JP
Titre (EN) PACKAGE ELEMENT OF POWER SEMICONDUCTOR
(FR) ÉLÉMENT D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体のパッケージ素子
Abrégé : front page image
(EN)This package element (10) of a power semiconductor is provided with: a base member (20); power semiconductors (311, 312); lead frames (401, 402); and a package resin (60). The power semiconductors (311, 312) are mounted on the lead frames (401, 402). The package resin (60) covers the power semiconductors (311, 312), the base member (20) and parts of the lead frames (401, 402). The base member (20) is provided with: an insulating substrate (21) having a high thermal conductivity; a circuit conductor (23) that is formed on the front surface of the insulating substrate (21); and a conductor for heat dissipation (22) that is formed on the back surface of the insulating substrate (21) and is exposed from the outer surface of the package resin (60). A bonding region where the lead frames (401, 402) are bonded to the circuit conductor (23) by a solder (51) has a shape that contains the geometric center O of the insulating substrate (21), and has an area that is about 20% or less of the front surface area of the insulating substrate (21).
(FR)L'invention concerne un élément d'encapsulation (10) d'un semi-conducteur de puissance comprenant : un élément de base (20) ; des semi-conducteurs de puissance (311, 312) ; des grilles de connexion (401, 402) ; et une résine d'encapsulation (60). Les semi-conducteurs de puissance (311, 312) sont montés sur les grilles de connexion (401, 402). La résine d'encapsulation (60) recouvre les semi-conducteurs de puissance (311, 312), l'élément de base (20) et des parties des grilles de connexion (401, 402). L'élément de base (20) est pourvu : d'un substrat isolant (21) possédant une conductivité thermique élevée ; d'un conducteur de circuit (23) qui est formé sur la surface avant du substrat isolant (21) ; et d'un conducteur de dissipation de chaleur (22) qui est formé sur la surface arrière du substrat isolant (21) et est apparent sur la surface extérieure de la résine d'encapsulation (60). Une région de collage dans laquelle les grilles de connexion (401, 402) sont collées au conducteur de circuit (23) par une brasure (51) présente une forme qui contient le centre géométrique O du substrat isolant (21), et présente une aire qui représente environ 20 % ou moins de l'aire de surface avant du substrat isolant (21).
(JA)パワー半導体のパッケージ素子(10)は、ベース部材(20)、パワー半導体(311,312)、リードフレーム(401,402)、パッケージ樹脂(60)を備える。リードフレーム(401,402)には、パワー半導体(311,312)が実装される。パッケージ樹脂(60)は、パワー半導体(311,312)、ベース部材(20)、およびリードフレーム(401,402)の一部を覆う。ベース部材(20)は、熱伝導率の高い絶縁性基板(21)と、絶縁性基板(21)の表面に形成された回路導体(23)と、絶縁性基板(21)の裏面に形成されパッケージ樹脂(60)の外面に露出する放熱用導体(22)とを備える。リードフレーム(401,402)が回路導体(23)に半田(51)によって接合される接合領域は、絶縁性基板(21)の幾何学的な中心Oを含む形状であり、絶縁性基板(21)の表面面積の約20%以下の面積である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)