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1. (WO2016111004) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/111004    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050502
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/3745 (2011.01)
Déposants : OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
Inventeurs : SUZUKI Shunsuke; (JP)
Mandataire : TANAI Sumio; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)This solid-state imaging device comprises a plurality of microlenses, a first substrate and a second substrate. The first substrate comprises a plurality of first photoelectric conversion parts. Each one of the plurality of first photoelectric conversion parts corresponds to one of the plurality of microlenses. The second substrate comprises a plurality of second photoelectric conversion parts and a plurality of third photoelectric conversion parts. A plurality of pairs are arranged, and each one of the plurality of pairs contains one of the second photoelectric conversion parts and one of the third photoelectric conversion parts. Each one of the plurality of pairs corresponds to at least one of the plurality of first photoelectric conversion parts.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend une pluralité de microlentilles, un premier substrat et un second substrat. Le premier substrat comprend une pluralité de premières parties de conversion photoélectrique. Chaque partie de la pluralité de premières parties de conversion photoélectrique correspond à une microlentille de la pluralité de microlentilles. Le second substrat comprend une pluralité de deuxièmes parties de conversion photoélectrique et une pluralité de troisièmes parties de conversion photoélectrique. Une pluralité de paires sont agencées et chaque paire de la pluralité de paires contient l'une des deuxième parties de conversion photoélectrique et l'une des troisième parties de conversion photoélectrique. Chaque paire de la pluralité de paires correspond à au moins une partie de la pluralité de premières parties de conversion photoélectrique.
(JA) 固体撮像装置は、複数のマイクロレンズと、第1の基板と、第2の基板とを有する。前記第1の基板は、複数の第1の光電変換部を有する。前記複数の第1の光電変換部はそれぞれ前記複数のマイクロレンズのいずれか1つに対応する。前記第2の基板は、複数の第2の光電変換部および複数の第3の光電変換部を有する。複数の組が配置され、前記複数の組はそれぞれ1つの前記第2の光電変換部および1つの前記第3の光電変換部を含む。前記複数の組はそれぞれ前記複数の第1の光電変換部の少なくとも1つに対応する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)