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1. (WO2016110981) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/110981    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050391
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : UNISANTIS ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; 111, North Bridge Road, #16-04, Peninsula Plaza, 179098 (SG) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MASUOKA Fujio [JP/JP]; (JP) (US only).
HARADA Nozomu [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : MASUOKA Fujio; (JP).
HARADA Nozomu; (JP)
Mandataire : KIMURA Mitsuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COLUMNAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 柱状半導体装置と、その製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, an SiO2 layer (4a) is formed at a middle position of an Si column (6). An opening of a gate insulating layer and a gate conductive layer is formed in a peripheral part including the side surfaces of the SiO2 layer (4a). A laminate layer obtained by laminating two Ni layers, two poly-Si layers containing donor or acceptor impurity atoms, and two SiO2 layers is formed on the peripheral part of the opening, and heat treatment is performed so that the poly-Si layers undergo silicidation. From an NiSi layer that protrudes and comes into contact with the side surface of the Si column (6) by the silicidation, the donor or acceptor impurity atoms are diffused into the Si column (6), thereby respectively forming, above and below the SiO2 layer (4a), an N+ region (2a) and a P+ region (3a) that will serve as the source or drain of an SGT.
(FR)Une couche de SiO2 (4a) est formée au niveau d'une position médiane d'une colonne de Si (6). Une ouverture d'une couche isolante de grille et d'une couche conductrice de grille est formée dans une périphérie comprenant les surfaces latérales de la couche de SiO2 (4a). Une couche de stratifié obtenue par stratification de deux couches de Ni, de deux couches de poly-Si contenant des atomes d'impureté donneurs ou accepteurs, et de deux couches de SiO2, est formée sur la périphérie de l'ouverture, un traitement thermique étant effectué de sorte que la siliciuration des couches de poly-Si est effectuée. À partir d'une couche de NiSi qui fait saillie et vient en contact avec la surface latérale de la colonne de Si (6) par la siliciuration, les atomes d'impureté donneurs ou accepteurs sont diffusés dans la colonne de Si (6), formant ainsi une zone N+ (2a) et une zone P+ (3a) devant devenir une source ou un drain d'une SGT, sur les côtés supérieur et inférieur de la couche de SiO2 (4a), respectivement.
(JA) Si柱(6)の中間位置にSiO層(4a)を形成する。SiO層(4a)側面を含む外周部にゲート絶縁層、ゲート導体層の開口部を形成する。この開口部の外周部にNi層、ドナーまたはアクセプタ不純物原子を含んだポリSi層、SiO層を各2つ重ねた積層層を形成し、熱処理を行い、ポリSi層のシリサイド化を行う。このシリサイド化により突き出てSi柱(6)側面に接触したNiSi層からドナーまたはアクセプタ不純物原子をSi柱(6)内へ拡散させることによりSGTのソースまたはドレインとなるN領域(2a)、P領域(3a)を、SiO層(4a)の上下に形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)