WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016110953) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/110953    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050245
Date de publication : 14.07.2016 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : EBIIKE Yuji; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of causing reflow without causing a body diode to operate, in a SiC-MOSFET. This silicon carbide semiconductor device comprises the following: a drain electrode 27; an Ohmic electrode 25 and a Schottky electrode 26 which are both in contact with the drain electrode 27 from above the drain electrode 27, and which are adjacent to each other; a first conductivity-type first withstand voltage maintaining region 13 which is in contact with the Ohmic electrode 25 from thereabove; a second conductivity-type second withstand voltage maintaining region 14 which is in contact with the Schottky electrode 26 from thereabove and which is adjacent to the first withstand voltage maintaining region; a second conductivity-type well region 15 which is in contact with the first withstand voltage maintaining region 13 and the second withstand voltage maintaining region 14 from above both; a first conductivity-type source region 16 which is selectively disposed on the surface layer of the well region 15; and a gate electrode 22 which opposes, via a gate oxide film, a channel region provided in a well region that is sandwiched by the source region 16 and the first withstand voltage maintaining region 13.
(FR)La présente invention aborde le problème consistant à provoquer une refusion sans faire fonctionner une diode de corps, dans un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur au carbure de silicium (SiC-MOSFET). Ce dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium comprend les éléments suivants : une électrode déversoir 27 ; une électrode ohmique 25 et une électrode de Schottky 26, qui sont toutes les deux en contact avec l'électrode déversoir 27, par le dessus de celle-ci 27, et qui sont adjacentes l'une à l'autre ; une première zone de maintien de tension de tenue 13 d'un premier type de conductivité, qui est en contact avec l'électrode ohmique 25 par le dessus de cette dernière ; une seconde zone de maintien de tension de tenue 14 d'un second type de conductivité, qui est en contact avec l'électrode de Schottky 26 par le dessus de cette dernière et qui est adjacente à la première zone de maintien de tension de tenue ; une zone de puits 15 du second type de conductivité, qui est en contact avec la première zone de maintien de tension de tenue 13 et la seconde zone de maintien de tension de tenue 14 par le dessus des deux ; une zone de source 16 du premier type de conductivité, qui est sélectivement disposée sur la couche de surface de la zone de puits 15 ; une électrode de grille 22 qui est en regard, par l'intermédiaire d'un film d'oxyde de grille, d'une zone de canal située dans une zone de puits qui est prise en sandwich par la zone de source 16 et la première zone de maintien de tension de tenue 13.
(JA) 本発明は上述の問題点に鑑み、SiC-MOSFETにおいてボディダイオードを動作させずに還流させることを目的とする。本発明の炭化珪素半導体装置は、ドレイン電極27と、ドレイン電極27上でそれぞれドレイン電極27と接触し、かつ互いに隣接するオーミック電極25及びショットキー電極26と、オーミック電極25上でこれと接触する第1導電型の第1耐圧保持領域13と、ショットキー電極26上でこれと接触し、かつ第1耐圧保持領域と隣接する第2導電型の第2耐圧保持領域14と、第1耐圧保持領域13及び第2耐圧保持領域14上に接触する第2導電型のウェル領域15と、ウェル領域15の表層に選択的に設けられる第1導電型のソース領域16と、ソース領域16と第1耐圧保持領域13とで挟まれたウェル領域に規定されるチャネル領域にゲート酸化膜を介して対向するゲート電極22と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)